我们在本文中描述了包括功率半导体器件部分(100)和温度感测器件部分(185)的高压半导体器件。温度感测器件部分包括：阳极区(140)；阴极区(150)；主体区(160)，在所述主体区(160)中形成阳极区和阴极区。温度感测器件部分还包...

一种栅极控制的半导体器件，包括：第一导电类型的集电极区；设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；第二导电类型的至少一个第一接触区，所述至少一个第一接触区设置于所述主体区上方，并且与所述主...

我们在此公开了一种栅极控制的双极型半导体器件，包括：第一导电类型的集电极区；设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；第二导电类型的多个第一接触区，所述多个第一接触区设置于所述主体区上方并...

本发明公开一种半导体设备子组件，包括：彼此之间横向间隔开的多个半导体单元，多个导电块，其中，每一导电块与每一半导体单元操作地耦连；与每一导体块操作地耦连的导电可延展层，其中，所述多个导电块位于导电可延展层和所述多个半导体单元之间。在使用...

本发明公开了一种用于高电流密度应用的功率半导体装置，所述装置包括：形成在彼此顶部之上的多个半导体区域；形成在所述半导体区域之一的第一表面上方的接触层。所述接触层包括置于与所述半导体区域之一的所述第一表面直接接触的第一部分，和形成在绝缘区...