本发明涉及一种栅极内嵌通孔实现电位自适应P‑shield的SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域。本发明通过在栅极内部嵌入包含P+区和P‑ch区的多功能通孔，取代传统通过栅极一侧周期性通孔进行接地的方式，实现了P‑shield电位...