本发明公开了一种适用于超薄及大翘曲度晶圆的背面蚀刻方法，对晶圆进行研磨加工，根据目标蚀刻后晶圆厚度选择对应处理方式，若目标蚀刻后厚度为30μm～100μm，先在晶圆正面贴附保护膜，再将贴膜后的晶圆与玻璃片通过键合工艺固定，本发明通过高精...

本发明公开了一种基于玻璃载片键合的超薄晶圆减薄防翘曲方法，选取待减薄晶圆，采用全自动贴膜机将保护胶膜贴覆于晶圆器件面，控制贴覆压力为0.1‑0.5MPa、温度为0‑100℃、滚压速度为10‑100mm/s；本发明适用于200mm、300...

本发明公开了一种背面减薄之方法，应用于标准DISCO系列晶圆研磨机（如DISCODFG‑8560型号），针对初始厚度为500‑700μm的半导体硅晶圆，通过全局无边缘支撑环的研磨实现背面减薄，适配4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等不同规...

本发明公开了一种晶圆背金之方法，确认待作业晶圆的背面已完成抛光作业或蚀刻作业，其中背面抛光作业后晶圆背面的表面粗糙度Ra范围为0.1‑0.5μm区间，背面蚀刻作业的蚀刻深度为5‑20μm；本发明通过创新的低温无加热设计、纯公转镀锅结构及...