重庆吉芯科技有限公司专利技术

重庆吉芯科技有限公司共有171项专利

  • 本发明提供一种四阶前馈补偿运算放大器及其设计方法,基于“以四阶运放路径为主,相邻两阶运放路径中较低的一阶对较高的一阶递次进行前馈补偿”的结构设计,很容易得到传递函数的增益和三个零点,且只有前馈支路、不存在反馈支路,可由节点参数得到四个极...
  • 本发明提出一种带缓冲器的前端采样电路,包括:采样模块、自举开关、驱动模块、缓冲模块和偏置模块;所述驱动模块包括第一连接端和第二连接端,所述采样模块包括输入端、输出端和偏移端;所述缓冲模块包括输入端、输出端和第三连接端;所述第一连接端与所...
  • 本申请提供一种随机扰动消除电路、芯片、系统及方法,该电路包括:权重计算模块,其输入端分别连接量化器的输出端及随机扰动产生模块的输出端,用于接收数字信号与随机扰动的数字量,基于数字信号与随机扰动的数字量利用最小均方差算法计算权重偏差迭代系...
  • 本发明公开了一种毫米波片上微阵列天线,包括:一个或多个微天线阵列单元,每个所述微天线阵列单元包括多个天线阵元,所述天线阵元形成于芯片上;透镜单元,对所述一个或多个微天线阵列单元发射的是磁波进行会聚。本发明的毫米波片上微阵列天线通过与芯片...
  • 本发明提供一种比较器阈值电压选择电路及方法中,在本发明的比较器阈值电压选择方法中,先提供多个备选阈值电压,再将比较器的理想阈值电压与多个备选阈值电压逐一比较判定,能快速有效地选择出略小于理想阈值电压的备选阈值电压作为比较器的阈值电压,基...
  • 本发明提供一种多晶硅电阻及其制造方法、逐次逼近型模数转换器,在形成多晶硅电阻时,利用绝缘体上硅工艺的特点,把绝缘体上硅衬底的上层硅衬底层划分成一个个绝缘隔离的衬底隔离区,并在上层硅衬底层上依次形成氧化硅层和多晶硅电阻层,且多晶硅电阻层被...
  • 本发明适用于集成电路领域,提供了一种高线性度的相位插值电路、方法及电子设备,所述电路包括:两个相位插值器、两个相位选择器、缓冲器和外环参考时钟;外环参考时钟输出4个相位相差90
  • 本发明公开了一种在线自适应直流失调校正电路,包括:模拟加法器电路、数模转换电路、直流检测电路、自适应更新信号产生电路、输出电路,模式选择电路。电路接收到带有直流分量的输入信号,检测到该直流分量,通过运算得到补偿值,并将其转换成模拟信号反...
  • 本发明提出一种均衡器电路,包括:均衡器;采样器,用于对所述均衡器的输出信号进行采样,获取四相位时钟采样信号;时钟恢复电路,用于根据所述四相位时钟采样信号获取自适应相位控制信号,并根据所述自适应相位控制信号恢复四相位时钟,输出至所述采样器...
  • 本发明提供一种熔丝修调系统及方法,系统包括:熔丝电阻、读出模块、可变参考电阻模块、用于放大压降信号的伪差分放大器模块;所述熔丝电阻的一端与电源连接,所述熔丝电阻的另一端与所述伪差分放大器模块的正输入端连接,所述可变参考电阻模块的输入端与...
  • 本发明提供了一种高线性度输入缓冲器及无采保结构的流水线模数转换器,高线性度输入缓冲器包括输入跟随电路用于跟随输入信号的变化,输出跟随输入信号的输出信号,恒流源电路连接于输入跟随电路的第一端,用于为高线性度输入缓冲器提供恒流源偏置,辅助运...
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