本发明涉及一种氢氧化镁的制备方法，尤其涉及一种氢氧化镁微纳米花的制备方法。包括以下步骤：将镁盐与氨水置于反应釜中进行水热合成反应，反应时间10h、反应温度180-190℃得到白色中间产物，其中镁盐溶液的摩尔浓度20-40％，氨水的摩尔浓...

本发明涉及一种氢氧化镁的制备方法，尤其涉及一种球状氢氧化镁的制备方法。包括以下步骤：以硫酸镁为镁源，以浓氨水为碱源，其中硫酸镁溶液的摩尔浓度20-40％，浓氨水的摩尔浓度为20-25％；将所述镁源和碱源置于密闭容器中，通过氨气扩散发生沉...

本发明涉及一种氢氧化镁的制备方法，尤其涉及一种微纳米级氢氧化镁的制备方法。包括氯化镁、去离子水及无水乙醇三者按质量比为1-1.5∶5-8∶2-5充分混合，剧烈搅拌10min，与相当于上述混合液0.4-0.7倍体积的浓氨水进行氨气扩散反应...

本发明涉及一种氢氧化镁的制备方法，尤其涉及一种氢氧化镁六方片的制备方法。包括以下步骤：以氯化镁为镁源，以浓氨水为碱源，其中氯化镁溶液的摩尔浓度10-20％，浓氨水的摩尔浓度为20-25％；将上述镁源和碱源置于密闭容器中，通过氨气扩散发生...

本发明涉及一种新的倒膜工艺。其所述方法步骤包括：将从划片机划完后有裂纹的芯片连同崩环按芯片背面平放在倒膜机上；将倒膜环均匀的罩在所述崩环上，并确保所述芯片在所述倒膜环内环中央位置；将蓝膜覆盖在崩环上，用超净布从芯片中间向芯片两边轻轻擦拭...