本发明公开了一种制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法，至少包含在透明基材形成一层以上的氮化物半导体薄膜，并以微影术在氮化物半导体薄膜上定义浅蚀刻区并蚀刻出一高度差，在浅蚀刻区定义牺牲区的图案并在未蚀刻区定义保留区的图案，再以异向性蚀刻将...