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陈敏璋专利技术
陈敏璋共有6项专利
制造金属氮化物薄膜的方法技术
一种制造金属氮化物薄膜的方法,通过至少一原子层沉积循环所执行。每一原子层沉积循环先执行关于金属元素的至少一个半循环,于每一个半循环中,先供应包含金属元素的前驱物至反应腔体内,再选择性地供应冲洗气体至该反应腔体内,其中元件置于反应腔体内。...
反铁电电容器制造技术
本发明提出反铁电电容器。所提出的结构能使反铁电晶体产生压缩内压而能降低其迟滞行为,从而使反铁电具有高储能密度(EnergyStorageDensity,ESD)和低能量损失。所提供的反铁电电容器具有纪录新高的ESD(94J/cm3)和8...
前驱物循环式原子层沉积设备与方法技术
本发明是一种前驱物循环式原子层沉积设备与方法。所述原子层沉积设备包含一个或多个内循环机构、一个或多个待镀物、一个或多个进气管线,以及一个或多个气体扰动装置。一个或多个待镀物设置于每个内循环机构内。进气管线在制程循环(cyc l e)的不...
复合衬底、其制造方法与发光组件技术
一种复合衬底的制造方法,包含以下步骤:提供一衬底;交替地提供一含第三族元素前驱物与一含氮前驱物于该衬底上,以原子层沉积工艺及等离子体增强型原子层沉积工艺的其中之一在该衬底上形成一氮化物缓冲层;以及在温度300℃至1600℃的范围下对该氮...
光电元件及其制造方法技术
本发明公开了一种光电元件及其制造方法。根据本发明的制造方法,首先,制备衬底。接着,于该衬底上形成多层结构。然后,通过原子层沉积工艺及/或等离子体增强原子层沉积工艺(或等离子体辅助原子层沉积工艺),形成钝化层,该钝化层覆盖该多层结构。本发...
氧化锌基半导体发光组件及其制造方法技术
本发明揭露一种氧化锌基半导体发光组件及其制造方法。根据本发明的制造方法,首先,制备一基材。接着,通过一基于原子层沉积的制程,在该基材上或之上形成一氧化锌基多层结构,其中该氧化锌基多层结构包含一发光区域。
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