【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造金属氮化物薄膜的方法，尤其涉及一种通过原子层沉积(atomic layer deposition,ald)制程制造具优异结晶品质的金属氮化物薄膜的方法。
技术介绍
1、金属氮化物薄膜凭借其优异的电子、光学、光电、机械等特性，已广泛地运用于半导体、光电、光学、微机电等多种领域的元件上。
2、但是，金属氮化物薄膜本身的结晶品质也影响其特性甚巨。至今仍有不少研究者致力于研究制造具优异结晶品质的金属氮化物薄膜的方法。
3、目前，通过分子束磊晶(molecular beam epitaxy,mbe)与有机金属化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,mocvd)制程可以制造具优异结晶品质的金属氮化物薄膜。然而，分子束磊晶制程通常需在高真空或超高真空(约10-8pa)的环境中进行。此外，有机金属化学气相沉积制程一般需要超高温(约1000℃)来成长高品质氮化镓与氮化铝等金属氮化物薄膜，然而，因薄膜与基材之间热膨胀系数不同所导致的热失配(thermal m...
【技术保护点】
1.一种制造金属氮化物薄膜于元件上的方法，所述金属氮化物包含金属元素，所述方法通过至少一原子层沉积循环所执行，每一原子层沉积循环包含下列步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一原子层沉积循环在制程温度以及真空度执行，所述制程温度的范围为从100℃至700℃，所述真空度的范围为从0.1Pa至1000Pa。
3.根据权利要求2所述的方法，于步骤(b)与步骤(c)之间，进一步包含下列步骤：
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述金属氮化物薄膜选自由AlNx薄膜、TiNx薄膜、GaNx薄膜、InNx薄膜、HfNx薄膜、ZrNx薄...
【技术特征摘要】
1.一种制造金属氮化物薄膜于元件上的方法，所述金属氮化物包含金属元素，所述方法通过至少一原子层沉积循环所执行，每一原子层沉积循环包含下列步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一原子层沉积循环在制程温度以及真空度执行，所述制程温度的范围为从100℃至700℃，所述真空度的范围为从0.1pa至1000pa。
3.根据权利要求2所述的方法，于步骤(b)与步骤(c)之间，进一步包含下列步骤：
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述金属氮化物薄膜选自由alnx薄膜、tinx薄膜、ganx薄膜、innx薄膜、hfnx薄膜、zrnx薄膜、sinx薄膜、genx薄膜、lanx薄膜、tanx薄膜、nbnx薄膜、bnx薄膜、wnx薄膜以及monx薄膜所组成的群组中的其一，0.5≦x≦1.5，当所述金属氮化物薄膜所述alnx薄膜时，所述alnx薄膜的aln(0002)绕射峰的第一x射线摇摆曲线的第一半高宽等于或低于300arcsec，当所述金属氮化物薄膜所述tinx薄膜时，所述tinx薄膜的tin(111)绕射峰的第二x射线摇摆曲线的第二半高宽等于或低于300arcsec，当所述金属氮化物薄膜所述ganx薄膜时，所述ganx薄膜的gan(0002)绕射峰的第三x射线摇摆曲线的第三半高宽等于或低于300arcsec。
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