【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，特别涉及一种反应腔室及薄膜沉积设备。
技术介绍
1、在半导体制造的精密工艺中，薄膜沉积设备的反应腔作为核心组件，其性能直接关乎晶圆的生产质量与良率。然而，传统反应腔在传输通道1的设计上存在显著弊端。例如在沉积工艺阶段，由于缺乏针对性的防护措施，传输通道1无法有效隔绝气态反应物，致使不必要的薄膜在通道内无序沉积，不仅降低设备运行效率，还会产生大量颗粒particle；而在传片与清洁流程中，传输通道1存在难以触及的清洁死角，残余颗粒无法得到彻底清除，这些颗粒在传输过程中极易掉落至晶圆表面，造成晶圆污染，进而影响产品性能与成品率。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种反应腔室及薄膜沉积设备，旨在实现对于反应腔室的体积调节，进而增强反应腔室的使用效果。
2、本专利技术实施例一种反应腔室，其特征在于，包括：
3、传输通道，所述传输通道开设有缺口；
4、调节组件，所述调节组件包括与所述缺口相契合且活动设置的调节板。
5、...
【技术保护点】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述调节组件还包括与所述调节板连接的第一驱动单元，所述第一驱动单元设置于所述传输通道的下方，用于驱动所述调节板升降。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述调节板在沉积状态时升起，并与所述传输通道的缺口相契合；所述调节板在清扫状态时下降，并与所述传输通道分离。
4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述缺口为弧形缺口，所述调节板为弧形板，且所述弧形缺口与所述弧形板的弧度相同。
5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述调节组件还包括与所述调节板连接的第一驱动单元，所述第一驱动单元设置于所述传输通道的下方，用于驱动所述调节板升降。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述调节板在沉积状态时升起，并与所述传输通道的缺口相契合；所述调节板在清扫状态时下降，并与所述传输通道分离。
4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述缺口为弧形缺口，所述调节板为弧形板，且所述弧形缺口与所述弧形板的弧度相同。
5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述调节板采用陶瓷材质制成。
6.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：林蓬涛，刘鑫，吴守鑫，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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