本公开涉及一种测量装置，用于刻蚀机，所述刻蚀机包括聚焦环组件和基座，所述测量装置包括底座以及测量装置，所述底座连接于所述基座；所述测量组件连接于所述底座，包括适于设置在所述底座和所述聚焦环组件上方的镭射传感器，所述镭射传感器用于无接触地...

本公开涉及一种晶圆曝光的方法、装置、存储介质、设备及程序产品。针对晶圆上的每个待曝光区域，获取光刻机采集到的所述待曝光区域的第一曝光参数和所述待曝光区域对应的初始曝光参数，所述初始曝光参数为预先设置的曝光参数；根据所述第一曝光参数对所述...

本公开涉及一种半导体制造设备，包括设备本体、真空压力规及散热件，设备本体中设置有真空腔，真空压力规用于测量真空腔的压力，且具有测量腔，散热件包括连接在设备本体和真空压力规之间的壳体，壳体内部形成有散热腔，散热腔用于连通真空腔及测量腔，以...

本公开涉及一种晶圆缺陷的处理方法，该方法包括：将待处理晶圆进行无图案曝光，得到曝光后的晶圆；其中，所述待处理晶圆具有缺陷；将所述曝光后的晶圆与显影液接触进行显影，得到显影后的晶圆；使用清洗介质对所述显影后的晶圆进行清洗，得到清洗后的晶圆...

本公开涉及一种用于半导体刻蚀设备的自清洁方法，该方法包括：在第一清洁气体混合物的存在下对所述刻蚀腔体进行第一清洁；以及在第二清洁气体混合物的存在下对所述刻蚀腔体进行第二清洁；其中，所述第一清洁气体混合物、所述第二清洁气体混合物分别为含有...

本公开涉及一种半导体器件的制造方法和半导体器件，本半导体器件的制造方法包括激光退火工艺；所述激光退火工艺包括：在半导体器件的表面形成反射光吸收层；将激光照射在所述反射光吸收层上，激光的光线穿过所述反射光吸收层对所述半导体器件加热退火，所...

本公开涉及一种在栅极中形成N型功函数层的方法，该方法在形成N型功函数层时，先采用偏压较低的第一物理气相沉积使N型功函数层材料原子在半导体衬底的栅极内形成N型功函数层，然后采用偏压较高的第二物理气相沉积使N型功函数层材料原子以更快的速度轰...

本公开涉及一种晶圆清洗系统，该晶圆清洗系统包括供给装置、循环流路、过滤器、调速泵以及清洗装置，供给装置用以承装化学清洗剂；供给装置的出液口通过循环流路连通于供给装置的进液口；过滤器设置在循环流路上；调速泵设置在循环流路上，用以调节流经循...

本发明涉及一种MOS器件及其制备方法，该方法包括：在半导体衬底上形成STI结构；在形成有STI结构的半导体衬底上采用离子注入形成P型阱区和N型阱区；其中，位于所述STI结构下方的P型阱区和N型阱区形成重叠区域或具有一定间距；在所述P型阱...

本公开涉及一种涉及半导体器件制造技术领域，提供一种离子注入机的程式生成方法、装置、介质、离子注入机及程序产品。包括：获取操作参数；根据操作参数，从数据库中确定出与操作参数相似的预设操作参数，其中，数据库中存储有多个预设程式，以及每一预设...

本公开涉及一种高压半导体器件及其制造方法，该高压半导体器件包括衬底、N型漂移区域、高压N阱区域、P型体区、源极以及栅极，N型漂移区域设置于衬底；高压N阱区域、P型体区以及源极设置于N型漂移区域内，且P型体区与源极相连；栅极设置于N型漂移...

本公开涉及一种试片制备改善方法及试片制备装置，采用制备装置制备试片，制备装置包括机台和离子束发射器，机台包括台面，离子束发射器设置在台面的上方，并用于朝向机体的台面发射离子束；离子束发射器设置为使发射的离子束可沿第二方向移动以及可沿第一...

本发明涉及一种栅极侧墙及其制备方法和应用，该方法包括：在具有栅极结构的半导体衬底上沉积第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上沉积氮化硅层；在所述氮化硅层上沉积第二氧化硅层；所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层通过TEOS工艺进行沉积，所述TE...

本公开涉及一种改善高速流离子注入能量污染的方法，该方法使高能离子束经过校正磁场前经一次减速，将高能离子束的速度降至安全速度以下形成中能离子束，然后再经二次减速，使离子束的能量降至离子注入所需的能量后进行离子注入。采用上述方式，一方面，中...

本公开涉及一种轻掺杂漏极区域的制造方法与半导体元件，该方法包括：先确定衬底上多个第一导电类型的第一半导体元件各自的轻掺杂漏极区域的位置，作为目标注入位置；通过第一光罩的多个第一注入口同时向多个目标注入位置注入第一离子；通过第一光罩的多个...

本公开涉及一种芯片‑电容器集成组件及其制造方法，该方法包括：在第一刻蚀停止层表面进行第一CVD处理，形成IMD介电层；在IMD介电层表面进行光刻处理以形成芯片图案和电容器图案，得到第一产物；对第一产物进行干刻处理，以在IMD介电层和第一...

本公开涉及制备多晶硅电阻的方法和制备出的多晶硅电阻，该方法包括以下步骤：S1、在衬底上形成多晶硅层；S2、对所述多晶硅层进行第一离子注入，注入离子为硼，得到第一离子注入的多晶硅层；S3、对所述第一离子注入的多晶硅层进行第二离子注入，注入...

本公开涉及光掩膜缺陷图案的修正方法及相应装置，其中，方法包括：获取缺陷图案的版图数据，缺陷图案为对光掩膜进行曝光处理得到的图案；根据版图数据，在光学邻近效应修正模型中构建与缺陷图案对应的多个修正图案；通过光学邻近效应修正模型模拟对光掩膜...

本公开涉及一种透射电镜试片的处理方法和透射电镜试片，透射电镜试片包括多个间隔设置的孔洞，孔洞的内壁设置有包括多层结构的扩散阻挡层，处理方法包括：对扩散阻挡层的表面设置有第一保护层；在孔洞中划分保留区，且保留区中划分相对设置的第一边缘线和...

本公开涉及一种高密度半导体器件及其制备方法。该高密度半导体器件包括衬底；多个SRAM单元，所述多个SRAM单元通过后端工艺呈阶梯式的垂直堆叠在所述衬底上方；每一所述SRAM单元均包括两个结构对称的晶体管组合，所述晶体管组合包括多个平行排...