本公开涉及一种斜场板结构及其制造方法和半导体器件，斜场板结构的制造方法包括：提供基板，并在基板上形成栅极结构；在基板和栅极结构上方沉积第一压印层；通过压印模具在栅极结构侧向的第一压印层形成倾斜凹槽；在第一压印层表面和倾斜凹槽内沉积场板层...

本公开涉及一种研磨液供给装置和研磨设备，其中，所述研磨液供给装置包括：研磨液供给臂，活动设置在研磨平台上；注液管路，用于向所述研磨平台提供清洗液，所述研磨液供给臂的自由端设有与所述注液管路相连通的喷嘴，所述喷嘴朝向所述研磨平台设置；以及...

本公开涉及一种半导体器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个栅极结构，所述半导体器件还包括覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的介质层，所述介质层上位于相邻的所述栅极结构之间形成有接触孔，所述接触孔包括由上至下依次布置的上段、中段以...

本公开涉及一种扩散炉，包括：底座；炉壁，连接在所述底座的上方，所述炉壁与所述底座的上表面合围形成有容纳腔；驱动部，设置在所述底座上且位于所述容纳腔中，所述驱动部的上方用于连接晶舟；第一气道，所述第一气道的一端用于连通外部的氮气，并用于将...

本公开涉及一种掩膜版装载盒，包括盒体和开合装置，其中，盒体内部设置有用于容纳掩膜版的容置空间，且盒体设置有连通容置空间的通孔；开合装置设置在通孔处，开合装置配置成能够被驱动以具有打开通孔的第一位置和闭合通孔的第二位置。通过上述技术方案，...

本公开涉及一种离子注入机及其排气系统，该排气系统包括第一排气单元和第二排气单元。其中，第一排气单元包括用于与离子注入机的腔室连通的第一排气管路，以及设于第一排气管路的第一泵组和废气处理装置，其中，第一泵组位于腔室和废气处理装置之间；第二...

本公开涉及一种扩散炉，包括：后传送区，包括内部中空且用于放置晶舟的箱体，箱体具有相对设置的顶壁和底壁；气源，设置在箱体中；吹气管，与气源连通且设置在顶壁上，用于对晶舟吹气；和排气管，连接于底壁并能够伸入箱体，以使箱体与外部连通。在扩散炉...

本公开涉及一种晶圆平坦化制程的干燥喷射管和晶圆干燥装置，本晶圆平坦化制程的干燥喷射管包括管体，所述管体用于供氮气和异丙醇流动，所述管体上设置有喷出部，所述喷出部朝向提拉中的晶圆，所述喷出部用于将氮气和异丙醇喷射在所述晶圆上，所述喷出部构...