成都晶辉卓创半导体有限公司专利技术

成都晶辉卓创半导体有限公司共有1项专利

  • 本发明公开了一种基于硅腔壁结构的气体放电管,包括:硅腔壁,基板,第一层绝缘粘合胶,第二层绝缘粘合胶,铜电极板,阳极导线,封装外壳。所述硅腔壁是通过对高纯度单晶硅材料进行微加工与钝化处理后所形成的具有垂直侧壁的硅环结构。本发明具有放电间隙...
1