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成都华微电子科技有限公司专利技术
成都华微电子科技有限公司共有120项专利
FPGA内部互联线延时测试方法技术
FPGA内部互联线延时测试方法,涉及集成电路技术,本发明包括下述步骤:1)针对选定区域,确定输入IO和输出IO;2)第一次配置FPGA,在输入IO和输出IO之间建立第一路径,然后测试输入IO到输出IO之间的时延,记为第一时延值T1,所述...
动态偏置高PSRR低压差线性稳压器制造技术
动态偏置高PSRR低压差线性稳压器,涉及集成电路技术,本发明包括误差放大器、功率管,功率管的栅端和误差放大器的输出端连接,功率管的电流输出端作为末级输出端连接负载阻抗单元,其特征在于,末级输出端通过电阻连接参考点,参考点通过第七电流源接...
自适应模式切换电荷泵制造技术
自适应模式切换电荷泵,涉及集成电路,本发明包括第二功率管、第一功率管、第三十一MOS管、基准与自适应模式切换电路、第一比较器、数字逻辑电路、第二比较器、第三功率管和第四功率管,本发明使芯片在轻载条件下,降低转换频率,增大周期时间,提高了...
快速瞬态响应的线性稳压器制造技术
快速瞬态响应的线性稳压器,涉及集成电路技术。本发明包括误差放大器、驱动电路、功率管,功率管的电流输出端连接稳压器的输出端,其特征在于,所述功率管为PNP三极管,功率管的基极和驱动电路的输出端连接,集电极作为电流输出端,功率管的基极与反馈...
固定频率双模同步降压控制器制造技术
固定频率双模同步降压控制器,涉及集成电路技术,本发明包括:导通时间电路,其输出端连接到数字逻辑电路的第一输入端;比较器,其输出端连接到数字逻辑电路的第二输入端;数字逻辑电路,具有两个输出端,用于依据第一输入端的电平控制两个输出端的电平状...
高压低功耗带隙基准电压源制造技术
高压低功耗带隙基准电压源,属于电学技术领域。本发明包括一个N沟道JFET,带隙核心电路、反馈电路和启动电路皆连接到N沟道JFET的源极,所述反馈电路用于调节基准带隙电压大小;所述启动电路用于产生一个初始电压用于带隙基准核心电路部分的启动...
SRAM动态阵列电源控制电路制造技术
SRAM动态阵列电源控制电路,涉及集成电路技术,本发明包括至少一个输出电压选择器,所述输出电压选择器由电流输出端相连的第一MOS管和第二MOS管构成,其中第一MOS管的电流输入端接第一电平端VDD,第二MOS管的电流输入端接第二电平端V...
带隙基准电路和低失调高电源抑制比带隙基准源制造技术
带隙基准电路和低失调高电源抑制比带隙基准源,涉及集成电路技术,本发明的带隙基准电路包括:第十六MOS管,其栅端接第五参考点,电流输入端接高电平,电流输出端接第十七MOS管的电流输入端;第十七MOS管,其栅端接第四参考点,电流输出端接基准...
并联运放零点补偿电路制造技术
并联运放零点补偿电路,涉及集成电路技术,本发明包括功率MOS管(M0)、电阻(Rc)和负载电容(CL),其特征在于,补偿电路的输入端接功率MOS管的栅极和电流放大器的输入端,功率MOS管的栅极通过一个电容接功率MOS管的电流输出端;功率...
可编程多模输出的带隙基准源制造技术
可编程多模输出的带隙基准源,涉及集成电路技术。本发明包括MOS管、多级运算放大器、第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)、第四电阻(R4)、参考电阻(R4')和第三电阻(R3),第四电阻(R4)和参考电阻的连接点通过第五电阻(R5)连接...
数据传输方法、数据传输电路和人工智能芯片技术
数据传输方法、数据传输电路和人工智能芯片,涉及通信技术和集成电路技术。本发明的数据传输方法包括下述步骤:a、发送方识别待发送报文的优先级,若为高优先级则封装后送入高优先级发送队列并进入步骤c,若为低优先级则进入步骤b;b、对低优先级报文...
高精度微电流线性校准电路制造技术
高精度微电流线性校准电路,涉及集成电路技术,本发明包括带有R‑2R电阻网络的DAC电路和校准电路,所述校准电路包括X个校准单元,每个校准单元包括双向传输门、校准电流注入支路和校准电流引出支路,校准电流注入支路和校准电流引出支路连接到双向...
时钟自测FPGA制造技术
时钟自测FPGA,涉及集成电路技术。本实用新型的时钟自测FPGA,包括I/O接口单元、时钟管理电路单元、被测时钟网络,其特征在于,还包括一个D触发器,时钟管理电路单元的输入端连接时钟源,时钟管理电路单元的第一输出端与被测时钟网络的输入端...
数字电路延时测试方法、测试电路和集成电路芯片技术
数字电路延时测试方法、测试电路和集成电路芯片,涉及集成电路技术。本发明的数字电路延时测试方法包括下述步骤:1)在起始时刻对待测模块的数据端口发送测试数据,相邻两次测试数据之间的时长增量为t;2)对待测模块的输出数据和输入数据作比较,当二...
可配置终端匹配电阻校准电路制造技术
可配置终端匹配电阻校准电路,涉及集成电路技术,本发明包括:基准电路,包括串联于高电平和地电平之间的基准电阻和电流源;基准信号放大电路,其输入端与基准电路输出端连接,输出端连接钟控比较器的第一输入端;电阻阵列信号放大电路,其输入端与电阻阵...
锁相环参考杂散快速仿真方法技术
锁相环参考杂散快速仿真方法,涉及集成电路技术。本发明包括下述步骤:1)采集锁相环信号,所述锁相环包括鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和分频器;2)计算杂散抑制比;所述步骤1)中,锁相环信号包括包括环路滤波器输出的直流调谐电压频...
一种测试数据处理装置和方法制造方法及图纸
本发明涉及数据处理领域,特别涉及一种测试数据处理装置和方法。其中,测试数据处理装置包括动态链接库模块和接口模块;动态链接库模块接收测试数据,并根据测试数据的路数分别开启相应数量的子线程进行处理,并将处理后的数据发送给接口模块;接口模块将...
一种基于表单信息自动化生成设计代码的方法技术
本发明公开了一种基于表单信息自动化生成设计代码的方法,属于IC设计领域。所述方法包括:将设计所需信息按照标准格式填入表单中;编写脚本工具,根据分块结构化设计编写自动化代码生成脚本;脚本工具自动获取表单信息并处理表单信息,将预处理数据保存...
一种高速串行信号丢失检测电路制造技术
本发明的高速串行信号丢失检测电路包括电压幅度比较器、翻转率计数和比较器电路,由于采用了电压幅度比较器和翻转率计数和比较器的双重判断,避免了单独使用电压幅度比较器对输入信号短路到高电平的丢失状态误判为正常的情况出现;同时,本发明的信号丢失...
一种无需片外电容的LDO电路制造技术
本发明涉及一种集成电路,特别涉及一种无需片外电容的LDO电路。本发明的无需片外电容的LDO电路包括负反馈环路和由N个电流源I0和N个NMOS管MN6组成的多个电流源支路,其中负反馈环路由运算放大器、电容C2、NMOS管MN5、电阻R3、...
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