成都飞锐特科技有限公司专利技术

成都飞锐特科技有限公司共有4项专利

  • 本发明提供了一种同质外延制备BaM单晶薄膜及其制备方法和应用。所述同质外延制备BaM单晶薄膜的制备方法包括:步骤1、制备熔体:将BaCO3、Fe2O3为原料,K2CO3、Bi2O3、B2O3为助熔剂,称取上述原料和助熔剂进行混料、熔料,...
  • 本发明提供了一种BaM籽晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括:将BaCO3、Fe2O3和作为助熔剂的K2CO3混合熔融,得到均匀的熔体;对熔体进行保温和阶段式降温,使籽晶自发成核并生长,得到初始籽晶;将初始籽晶从凝固后的熔体中分离并清...
  • 本发明提供了一种低饱和磁场石榴石单晶薄膜及其制备方法。所述方法包括:以Ga2O3、Tm2O3、Fe2O3、Bi2O3为原料,Bi2O3‑K2CO3为助熔剂,进行混合、熔料,得到混合均匀的熔体;其中,Tm2O3与Fe2O3的摩尔比为0.1...
  • 本发明提供了一种用于磁光检测双面石榴石单晶薄膜及其制备方法、应用。所述制备方法包括如下步骤:以Ga2O3、Tm2O3、Fe2O3、Bi2O3为原料,再加入K2CO3,进行混合、熔料,得到混合均匀的熔体;清洗衬底;将清洗后的衬底放入熔体中...
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