本发明涉及同位素电池技术领域并公开一种换能器件的制备方法和同位素电池的制备方法，换能器件的制备方法包括S1：在可溶衬底的表面上制备待易碎层，待易碎层包括溶剂原子；S2：在待易碎层的表面上制备第一溶质层；S3：加热可溶衬底、待易碎层和第一...

本发明涉及同位素电池技术领域并公开一种换能单元的制备方法及同位素电池的制备方法，所述换能单元的制备方法包括S1：在衬底的待处理面上进行预处理，得到具有预设表面形状的预处理面；S2：在所述预处理面上制备牺牲层，得到预设形状的所述牺牲层；S...

本发明涉及同位素电池技术领域并公开一种无衬底放射性同位素源的制备方法和同位素电池的制备方法，所述无衬底放射性同位素源的制备方法包括S1：在衬底的表面上制备中间层，所述中间层包括溶剂原子和溶质原子；S2：在所述中间层表面上制备溶质层，所述...

本发明涉及同位素电池技术领域并公开了一种含纳米孔发电组件，包括换能层；以及预设于所述换能层表面的加载层，所述加载层具有预设的纳米孔。本发明能够解决在同位素电池内部放射源的制备过程中，由于储氢材料的吸氢温度较高，进而导致换能器件和储氢材料...

本发明涉及同位素电池制源技术领域并公开一种高密度储氚薄膜及其制备方法、吸氚方法，所述高密度储氚薄膜包括衬底层、储氚层、耗氧牺牲层和隔氧牺牲层，储氚层在衬底层的厚度方向上设在衬底层上，耗氧牺牲层设在储氚层上，其中，耗氧牺牲层与衬底层在衬底...

本发明公开了一种超柔性同位素电池及其制备方法，涉及电池技术领域，包括数个半导体模块，所述半导体模块沿水平方向呈错位阵列分布，任意两个相邻的半导体模块之间设有碳纳米管束，所述半导体模块与所述碳纳米管束连接并形成PN结。本发明公开的超柔性同...

本发明涉及同位素电池技术领域并公开一种半导体换能器件及其制备方法、同位素电池，所述半导体换能器件包括P型金刚石衬底，所述P型金刚石衬底的表面附着有N型三维纳米膜，其中，所述N型三维纳米膜是由N型半导体前驱体经电解氧化后形成。所述半导体换...

本发明涉及同位素技术领域，具体提供一种耦合碳14与氚放射源的同位素电池，旨在解决现有技术具有放射性元素的柔性薄膜无法沿用常规工艺以及放射性元素氚的引入导致高分子材料降解进而导致性能和使用寿命降低的问题。为此目的，本发明的同位素电池的柔性...

本发明公开了一种薄膜堆叠的紧凑型同位素电池，包括至少两个依次堆叠的产电单元；所述产电单元包括，第一薄膜件，能够产生放射性粒子，同时作为所述产电单元的正极端；第二薄膜件，用于接收第一薄膜件产生的放射性粒子，并换能产电；第三薄膜件，用于作为...