本实用新型涉及半导体模块技术领域，尤其是一种电力半导体电极及模块，包括竖直部和水平部，所述水平部上设置有用于放置芯片的凹槽，所述凹槽为圆弧面凹槽，本申请使得芯片与电极的接触面积显著增大，由原先的最大27mm

本实用新型涉及电子电力技术领域，具体涉及一种超低热阻的大功率SiC功率模块，包括SiC MOSFET芯片，SiC MOSFET芯片连接有缓冲导电片，缓冲导电片和SiC MOSFET芯片之间设置有焊料层，缓冲导电片连接有导电铜片，缓冲导电...

本实用新型涉及电子电力器件技术领域，具体涉及一种基于交错结构的低寄生电感高压串联功率模块，包括模块壳体，所述模块壳体内设置有基板，所述基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板均设置有功率端子，所述第一基板和所述第二基板之间...

本实用新型属于电子电力器件技术领域，更具体地，涉及一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，两只SiC MOSFET芯片分别为芯片一和芯片二，两片芯片平行且上下竖直设置，两片所述芯片之间通过缓冲层连接，所述DBC板包括上DBC板和下DBC板，...

本实用新型涉及功率模块技术领域，尤其是一种四面散热功率模块，包括左散热板和右散热板，所述左散热板和右散热板的连接面与所述上DBC板和下DBC板中的一块或者两块连接，所述左散热板和右散热板的高度小于等于所述上散热板的连接面与所述下散热板的...

本发明涉及封装技术领域，特别是一种针对高压碳化硅功率模块的覆铜陶瓷板，包括自上而下依次连接的上铜层、上陶瓷层、中铜层、下陶瓷层、下铜层，所述上陶瓷层的上表面开有凹槽，凹槽内镶嵌有上铜层，所述下铜层厚度为0.3mm；所述中铜层厚度为0.3...

本发明涉及微电网储能单元技术领域，特别为一种应用于多储能单元的自适应功率精准分配方法，将负反馈引入逆变器的电压控制回路中，通过采样获得的电流值与自适应虚拟阻抗的值相乘，可以获得电压降，并将此电压降与电压参考值相加来获得新的电压参考值并加...

本发明属于电网谐波抑制技术领域，特别涉及一种可以有效衰减背景谐波电压的APF控制方法，首先安装在配电馈线末端的APF采集母线的三相电压信号，根据需要抑制的各次谐波的频率将三相电压信号分别转换至对应频率的两相旋转坐标系下，通过低通滤波器提...

本实用新型涉及功率模块技术领域，特别是一种高压碳化硅功率模块，包括基板、芯片、外壳和端子，所述端子焊接在覆铜陶瓷板上，所述端子贯穿芯片上方外壳内的灌封胶并延伸至空气，所述端子采用水平弯折的端子，还包括位于模块顶部充当外壳盖板的PCB板，...

本实用新型涉及高压功率模块技术领域，特别是一种适用于高压功率模块的覆铜陶瓷板，包括从上到下依次连接的上铜层、中间陶瓷层和下铜层，在所述上铜层周围的中间陶瓷层上部开设凹槽，所述下铜层整体嵌入中间陶瓷层下部。采用上述结构后，本实用新型在降低...

本实用新型涉及高压功率模块技术领域，特别是一种交直流叠加电压下的高压功率模块局部放电检测系统，包括交直流叠加电源和待测功率模块Qx，所述待测功率模块Qx与检测阻抗Rm串联后和耦合电容Ck并联接入交直流电源两端；还包括局部放电检测仪，所述...

本实用新型公开了电极减缓拉力结构，包括第一板体，所述第一板体的上表面对称固定连接有两个第一壳体，所述第一壳体的内侧壁底部固定连接有第一弹簧，所述第一弹簧远离所述第一壳体的一端固定连接有柱体，所述柱体的一侧螺纹连接有第一螺纹杆，所述第一螺...

本实用新型公开了电力半导体模块铝丝连接机构，包括支撑板，所述支撑板的底部焊接有支撑杆，所述支撑杆的左侧焊接有底座，所述底座的顶部焊接有第三板体和第八板体，所述第八板体的内部开设有槽口，所述槽口的内部通过轴承转动连接有第二转轴和第一转轴，...

本实用新型公开了DBC瓷片焊接防锡溢出结构，所述第一壳体的内侧壁开设有第一滑槽，所述第一滑槽的相互对称滑动连接有两个第一导轨，所述第一滑槽的底壁通过弹簧固定连接有第一导轨，两个所述第一导轨的一侧固定连接有第二壳体，降低了与焊接处接触的时...

本实用新型公开了自带温度传感器的晶闸管芯片，包括芯片板，所述芯片板的上表面固定连接有螺纹套筒，所述螺纹套筒的内侧壁螺纹连接有支撑杆，所述支撑杆的上表面固定连接有固定块，所述固定块的一侧螺纹连接有第一螺纹杆，在本装置使用的过程中，通过芯片...

本实用新型涉及到一种抽屉式电路控制模块，包括定位底板和螺母；所述定位底板上方焊接有主回路模块，所述所述主回路模块呈抽屉状，所述主回路模块上端面开设有模块插槽，所述模块插槽密封端面内侧安装有若干组主回路出发电极，所述主回路出发电极插装在控...

本发明涉及到一种用于焊接模块的改良芯片，包括芯片；所述芯片上表面的门极电极设置在电极层中心，所述门极电极外圈附有环状放大门极电极，所述放大门极电极向外均匀延伸呈放射状，所述放大门极电极向外延伸的分支间隔相等，所述放大门极电极覆盖有阻焊层...

本实用新型涉及高压功率模块技术领域，特别是一种高压功率模块外壳,包括基板、壳体和盖板，所述壳体固定在基板上，所述盖板覆盖在壳体上，所述盖板上设置有若干与功率模块相连接的功率端子，所述相邻功率端子之间的盖板上均匀开设有爬电凹槽，所述功率端...

本实用新型涉及晶闸管技术领域，特别是一种过电流保护集成的晶闸管模块，包括连接在主回路上的晶闸管单体V1和电流互感器T1，所述电流互感器T1通过AC/DC整流桥U1和电流检测与保护电路输入端相连接，所述电流检测与保护电路输出端和晶闸管模块...

本实用新型涉及晶闸管技术领域，特别是一种温度监测集成的晶闸管装置，包括晶闸管单体，所述晶闸管单体旁设置有温度监测电路，所述温度监测电路输出端与驱动电路相连接；温度监测电路，用来对晶闸管单体的温度进行检测，并将温度信号转化为电压信号，然后...