一种高压碳化硅功率模块制造技术

本实用新型专利技术涉及功率模块技术领域，特别是一种高压碳化硅功率模块，包括基板、芯片、外壳和端子，所述端子焊接在覆铜陶瓷板上，所述端子贯穿芯片上方外壳内的灌封胶并延伸至空气，所述端子采用水平弯折的端子，还包括位于模块顶部充当外壳盖板的PCB板，所述PCB板内部的中间导电层通过过孔与端子电连接。采用上述结构后，本实用新型专利技术顶部PCB板的设置使模块在端子间距较小的前提下，保证了端子之间足够的爬电距离，解决了碳化硅功率模块高功率密度的特点和爬电距离、电气间隙之间的矛盾。

【技术实现步骤摘要】
一种高压碳化硅功率模块
本技术涉及功率模块
，特别是一种高压碳化硅功率模块。
技术介绍
功率模块是现代电力电子应用中不可或缺的一部分，承担了主要的电能变换工作。在保证半导体芯片电气性能的同时实现整体可靠散热、机械支撑以及电气绝缘的模块即为功率模块。如今，随着功率半导体芯片的性能不断提高，乃至出现了第三代宽禁带半导体，功率模块的封装却停留在以往传统的模式，成为了制约其发展的主要因素之一，下面以电气绝缘性能为例阐述现有功率模块在封装上的缺陷。碳化硅器件在高压应用领域得到越来越多的关注，功率模块的封装限制了其在更高的电压等级上的应用。一方面，随着功率半导体电压等级的提高，传统功率模块内部的电场集中现象容易导致局部放电或者打火现象发生，特别当内部存在空气时，由于空气的击穿强度为3kV/mm，空气的区域一旦具有更高的电场强度就会产生放电现象。另一方面，高电压电气间隙和爬电距离的要求往往使得模块体积被迫增大，而使用了碳化硅器件的高压功率模块体积将大大减小，例如6.5kV/25ASiIGBT模块体积为14×7×4.5cm，而15kV/1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压碳化硅功率模块，包括基板（1）、芯片（4）、外壳（7）和端子（8），所述端子（8）焊接在覆铜陶瓷板上，所述端子（8）贯穿芯片（4）上方外壳（7）内的灌封胶（6）并延伸至空气（12），其特征在于：所述端子（8）采用水平弯折的端子，还包括位于模块顶部充当外壳（7）盖板的PCB板（9），所述PCB板（9）内部的中间导电层（10）通过过孔（11）与端子（8）电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种高压碳化硅功率模块，包括基板（1）、芯片（4）、外壳（7）和端子（8），所述端子（8）焊接在覆铜陶瓷板上，所述端子（8）贯穿芯片（4）上方外壳（7）内的灌封胶（6）并延伸至空气（12），其特征在于：所述端子（8）采用水平弯折的端子，还包括位于模块顶部充当外壳（7）盖板的PCB板（9），所述PCB板（9）内部的中间导电层（10）通过过孔（11）与端子（8）电连接。


2.按照权利要求1所述的一种高压碳化硅功率模块，其特征在于，所述PCB板（9）为多层线路板，包括：
用于焊接焊接功率半导体控制模块及辅助电路的上层导电层；
用于实现电场调制的中间导电层（10）；
通过过孔（11）与中间导电层（10）连接，并与端子（8）连接的下层导电层；
各层导电层之间均通过过孔实现连接。


3.按照权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨英杰，梁琳，颜辉，陈雪筠，
申请(专利权)人：常州瑞华新能源科技有限公司，华中科技大学，
类型：新型
国别省市：江苏;32