长江存储控股股份有限公司专利技术

长江存储控股股份有限公司共有40项专利

  • 本申请实施例提供一种存储器装置,包括:存储单元阵列;所述存储单元阵列包括:存储块;所述存储块包括多个存储串;每一个存储串包括多个存储单元;所述多个存储单元中每一个存储单元与一条字线耦接;外围电路,与经所述字线与所述存储块包含的对应存储单...
  • 本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备,涉及半导体技术领域,用于提高半导体器件的散热能力。半导体器件包括:至少一个半导体结构。半导体结构包括散热层以及至少一个散热柱。散热柱嵌设在半导体结构的内部,且沿半导体结构的厚度...
  • 本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质,所述半导体器件包括存储阵列和与所述存储阵列耦接的外围电路,所述存储阵列包括多个存储块,在利用所述半导体器件进行运算阶段,所述外围电路被配置为:对与目标存储块耦接的目标字线...
  • 本申请提供了一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统,涉及半导体芯片技术领域。该操作方法包括在第一编程操作阶段,向与第一存储单元耦接的第一字线施加第一编程电压。在第一编程操作阶段,向与第二存储单元耦接的第二字线施加第一通过电压,第二存储...
  • 本公开提供了一种芯片封装结构及其制备方法、半导体器件、存储系统、电子设备,涉及半导体技术领域,旨在降低芯片封装结构的制备工艺难度。芯片封装结构包括衬底、第一导电柱、第一半导体结构和第二导电柱。第一导电柱在衬底内沿第一方向延伸且贯穿衬底,...
  • 本公开提供了一种半导体封装结构及其制备方法,该半导体封装结构包括:沿第一方向堆叠排布的多个第一半导体芯片;第一半导体芯片包括至少一个第一导电结构;第一导电结构包括沿第一方向延伸的第一连接结构、沿第一方向延伸的第二连接结构,以及在第一方向...
  • 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器系统,所述半导体结构包括:沿第一方向键合的第一子半导体结构和第二子半导体结构;所述第一子半导体结构包括:半导体层;第一连接结构,沿所述第一方向贯穿所述半导体层;第一介电层,位于所述第一...
  • 本公开实施例公开了一种半导体结构及制作方法,所述半导体结构包括:沿第一方向键合的第一半导体芯片和第二半导体芯片;所述第一半导体芯片包括:第一半导体层;多个第一连接结构,所述多个第一连接结构沿所述第一方向贯穿所述第一半导体层;任意两个所述...
  • 本公开提供了一种半导体封装结构及其制备方法,所述半导体封装结构包括:沿第一方向堆叠排布的多个第一半导体芯片;所述第一半导体芯片包括至少一个导电结构;所述导电结构包括沿所述第一方向延伸的第一连接结构、沿所述第一方向延伸的第二连接结构,以及...
  • 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统,涉及半导体芯片技术领域,旨在简化半导体结构的制备工艺。所述半导体结构包括多个电容器、电极层、接触柱、第一键合层、第一键合触点和引出触点。电极层包括电极部,电极部设于多个电容器在第...
  • 本公开提供了一种存储器及存储系统,涉及半导体芯片技术领域。存储器包括存储阵列和耦接于存储阵列的外围电路,外围电路包括参考电路和电源产生电路,参考电路与参考电路通过字线连接的存储单元层中的任意存储单元构成电流镜电路,电流镜电路被配置为:根...
  • 本申请提供了一种存储器系统、存储器系统的形成方法及封装结构,涉及半导体芯片技术领域。该存储器系统包括存储器和处理电路,存储器和处理电路通过接口电路耦接。接口电路包括第一接口电路和第二接口电路,存储器包括存储阵列和与存储阵列耦接的外围电路...
  • 本公开实施例提供一种半导体器件,该半导体器件包括存储器阵列和与存储器阵列耦接的外围电路,外围电路被配置为:在第一编程循环的编程阶段,对第一字线施加第一编程电压,并同时对与第一字线相邻的第二字线施加第二编程电压;第一编程电压与第二编程电压...
  • 本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质,所述半导体器件包括存储阵列、与存储阵列耦接的外围电路,以及与存储阵列中的存储单元耦接的第一字线组和第二字线组;与第二字线组耦接的存储单元位于与第一字线组耦接的存储单元和与...
  • 本申请一些实施例提供一种存储器装置及其操作方法、存储器系统,涉及半导体技术领域,能够降低读写数据的信号干扰,提高读写数据的准确度和存内计算的可靠性。存储器装置包括存储单元阵列和外围电路。存储单元阵列包括多个存储单元;至少一个存储单元被配...
  • 本公开实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统、存内运算电路,所述存储器支持存内运算,所述存储器包括:多条位线和外围电路,多条位线耦接于存储单元阵列;外围电路包括:多个页缓冲器和存内运算控制电路,所述存内运算控制电路耦接于所述多条...
  • 本公开提供了一种存储器、存储系统及存储器的操作方法,涉及半导体芯片技术领域。存储器包括外围电路和连接于外围电路的第一存储阵列和第二存储阵列,第一存储阵列用于存储信息数据,第二存储阵列用于存储权重数据,外围电路被配置为:获取第一存储阵列存...
  • 本公开实施例公开了一种外围电路、存储器装置及系统、存储器装置的控制方法;所述外围电路包括:锁存器,被配置为存储第一数据,第一数据包括第一操作参数;数模转换器,与锁存器耦接;数模转换器被配置为:将第一操作参数转换为第一电压参数;电压发生电...
  • 本公开提供一种存储器及其操作方法、存储器系统。所述存储器包括:存储单元阵列和耦接至所述存储单元阵列的外围电路,所述外围电路包括:耦接至所述存储单元阵列的页缓冲器,所述页缓冲器包括多个锁存器,所述多个锁存器包括第一锁存器;耦接至所述页缓冲...
  • 本公开实施例提供一种半导体器件,该半导体器件包括存储器阵列和与存储器阵列耦接的外围电路,存储器阵列包括多个存储块,多个存储块中至少两个存储块均为目标存储块;外围电路被配置为:对多个目标存储块中每个目标存储块耦接的多个字线均施加对应的输入...