本发明介绍了一种存储器阵列，其包括多个可编程存储器单元、多条行线和多条列线。每一个上述可编程存储器单元连接到上述行线中的对应的行线和上述列线中的对应的列线。每一个上述可编程存储器单元包括有机存储器单元和主动开关元件。上述主动开关元件受上...

一种磁性随机存取存储器，包括至少一条第一方向写入电流线以及多条第二方向写入电流线，其实质上与第一方向写入电流线垂直交叉，形成有多个交叉区域。多个磁性存储单元，分别位于这些交叉区域，依照时序接收一感应磁场。相邻每至少二个磁性存储单元是串联...

本发明公开了一种磁性随机存取存储器，包括多个存储单元，构成一阵列。每一个存储单元有磁性自由叠层与固定叠层。固定叠层的磁化向量皆朝预定方向设置。磁性自由叠层有磁性易轴。相邻的二个该存储单元的二个该磁性易轴实质上相互垂直。

一种相变化存储器，包括一个以上的主存储单元，产生至少一检测信号，其中每一该主存储单元具有一纪录层；一个以上的参考存储单元，产生至少一参考信号，其中每一该参考存储单元具有一记录层；以及一比较电路，用以比较该至少一检测信号与该至少一参考信号...

本发明提供一种相变存储单元控制技术，以令彼此间具有工艺误差的多个相变存储单元在设定模式下具有相同的电阻值。

本发明的一实施例为一种相变存储器的写入系统，包括一第一写入电路、一验证电路、一第一相变存储单元与一第二相变存储单元。该第一写入电路，执行一写入程序，接收一第一数据并写入至该第一相变存储单元。该验证电路，执行一验证程序，包括一处理单元以及...

一种数据编程电路以及存储器编程方法。该数据编程电路，用以将写入数据储存至存储单元。一控制电路根据写入数据而产生控制信号。一电流产生电路根据控制信号而提供流经存储单元的写入电流以改变存储单元的结晶状态，其中写入电流具有对应于写入数据的脉冲...

本发明提供一种存储器读取电路与方法，该存储器读取电路用以读取一具有２↑［Ｎ］种阻抗状态的存储器电路，其包括：一待测信号产生电路，检测上述存储器电路的阻抗状态，以产生一待测信号；一参考信号产生电路，检测一具有２↑［Ｎ－１］个阻抗路径的参考...

本发明提供一种相变存储器技术，其中令多个相变储存单元串联以共享一电流源，并且以多个开关控制该电流源所提供的一输入电流的电流路径。本发明通过控制所述开关与该输入电流设定所述相变储存单元的电阻值以储存数据，其中，不同数据储存于所述相变储存单...

本发明提供一种相变化存储器，其中包括顶层电极、相变化物质、位于该顶层电极与该相变化物质间的多个介质孔、至少四个加热器、对应该加热器的多个底层电极以及晶体管。该加热器分别瞄准该相变化物质的不同区域。该底层电极分别耦接该加热器，作为该加热器...

本发明涉及一种具有低写入电流的磁性随机存取内存，是以磁性接面组件为存储核心的磁性存储单元，在磁性接面组件单元的两侧放置能流通电流的金属柱，所组成的磁性随机存取内存的改良型结构。利用磁性接面组件附近或缠绕的金属柱感应所增加的总磁场，使磁性...

一种磁性随机存取存储器的参考中点电流发生器，系供包含四稳态存储单元以上的多稳态存储单元的数据读取，包括有：　　　　多个具有两个以上不同电阻特性的参考元件，使用多条位线，该参考元件与存储单元的存储元件相同，且与存储元件承受相同的端电压；　...

本发明所揭示的包括有关于射频辨识（ＲＦＩＤ）标记之系统与技术，包括ＲＦＩＤ存储器之电流源控制。根据本发明之一方面，一种射频辨识标记包括：一天线；与该天线耦合之一射频接口；以及一非易失性存储器，其包括有复数个存储单元，该复数个存储单元之至...

本发明公开了一种运用无线射频辨识（ＲＦＩＤ）的食品卫生控管系统，包括：一第一容置空间；一待测物，位于该第一容置空间且设有一无线射频辨识（ＲＦＩＤ）卷标；一环境传感器，位于该第一容置空间；一处理器，与该环境传感器连接；一第一无线射频辨识（...

一种用于写入磁阻式随机存取存储器（ＭＲＡＭ）装置的存储器单元的方法连续包括：在第一方向提供第一磁场；在大体上与所述第一方向正交的第二方向提供第二磁场；关闭所述第一磁场；在与所述第一方向相反的第三方向提供第三磁场；关闭所述第二磁场；和关闭...

本发明为一种存储器，其包含一感测放大器，具有一单元输入端及一参考输入端；一第一子阵列，经由一第一开关耦接于该单元输入端，并经由一第二开关耦接于该参考输入端；一第二子阵列，经由一第三开关耦接于该单元输入端，并经由一第四开关耦接于该参考输入...

本发明涉及一种存储器结构及其写入方法，其包括一电源电路及一桥式电路，通过该电源电路驱动该桥式电路，用以产生多个导通模式，该存储器结构仅需使用一组电源电路，并不需预先知道其位线的阻值，且该存储器结构于正负向切换时，不易产生信号错误。

一种存取磁阻随机存取存储器（ＭＲＡＭ）装置的存储单元的方法，所述存储单元包括多个存储器单元，每一存储器单元用于存储数据位，所述方法包括：　　　　写入所述存储单元，其包括：　　　　识别所述存储器单元中的多个存储器单元，所述存储器单元中的每...

本发明涉及一种磁性存储单元结构适用于双态型模式存取操作的一磁性存储装置，包括一磁性固定迭层，做为一基层结构的一部份。一穿隧绝缘层位于该磁性固定迭层之上。一磁性自由迭层位于该穿隧绝缘层之上。一磁性偏压迭层，位于该磁性自由迭层之上。其中，磁...

本发明为一种读出放大器，包括：一第一电流镜单元，耦接一高电压源，根据一第一参考电流输出一第一电流以及一第二电流，其中第二电流为第一电流的两倍；一第二电流镜单元，耦接一高电压源，根据一第二参考电流输出一第三电流；一第一阻抗组件，耦接该第二...