本申请涉及一种半导体装置，其包括具有优选单片半导体衬底，特别是硅衬底（2）的晶圆（1），以及在半导体衬底（2）内和/或上延伸的至少一个集成电子部件（3），其中，所述晶圆（1）包括具有集成电子部件（3）或至少一个集成电子部件的前段制程（5...