本发明涉及一种制备氧化物溅射靶的方法。所述方法包括如下步骤：提供靶座；通过同时喷射至少一种氧化物和至少一种金属在所述靶座上施加可溅射材料的外层。所述可溅射材料的外层包含第一相和第二相。所述第一相包含至少第一金属和第二金属的氧化物；所述第...

本发明涉及一种可旋转溅射靶及制造这样的溅射靶的方法。该溅射靶包含靶材料和位于该靶材料内部的磁体阵列。磁体阵列限定了沿靶材料长度主要部分延伸的中心区域，并限定了中心区域每个末端的末端区域。靶材料包含第一材料和第二材料。该靶材料至少在中心区...

本发明介绍了可插入可旋转目标中的溅射磁控管（３００）。磁控管设计成单件的多壁管（１０２、２０３），具有在管的长度上延伸的隔腔（３１６、３１６′、３１８、３１８′）。多壁管与现有技术磁控管相比产生了硬得多的磁控管载体结构。因此，磁场产生器...

本发明介绍了一种用于引入到磁控管溅射装置的安装基座（３１４）和端块（３１０）之间的插件（３４０）。该插件的一端和另一端分别具有与端块界面（３２２）相同的复制端块界面以及与安装基座界面（３２０）相同的复制安装基座界面（３２０’，３２２’）...

本发明披露了一种可以安装在圆柱形靶内部的管状磁体组件，所述磁体组件可以相对于圆柱形靶转动或平动。本发明的磁体组件和现有技术的区别在于，其包括和远磁场组合的近磁场，近磁场用于把电荷约束在靶子附近，远磁场到达基体，用于朝向基体引导电荷。这种...

描述了生产可旋转靶的方法和制得的靶。在圆筒形模具间形成的空腔中注入靶形成材料，其中内管通过顶部和底部封闭体共轴固定。在高的温度和压力下对该组件进行热等静压。该方法不同于现有技术之处在于，在热等静压过程中内管变形，并将靶形成材料压在基本上...

描述一种用于等离子沉积或等离子清洁设备中的细长的气体分配系统。该系统以堆叠细长板条的形式设备。所述板条中铣有凹槽，这些凹槽在板条彼此上下堆叠后便形成通道。这种设置是特别灵活的设计，可供精细分叉的气体分配树状结构之用。还可以在气体分配系统...

本发明公开了一种用于在真空涂敷装置中的电激励可转动管状靶材的端块，所述端块具有一个可转动的电接触件，其在以交流电模式下操作时降低焦耳生热效应。当与已知的端块比较时，本发明可获得增加接触环（４１０）和一系列周向安装的接触极靴（４５０）之间...

本发明披露了一种用于管状磁控溅射设备的端块。这种端块将运动，冷却剂（５）以及电流可转动地传递至靶材上，同时，保持真空的完整性以及封闭的冷却剂回路。该端块包括驱动装置，旋转式电接触装置，支承装置，多个旋转式冷却剂密封装置，多个真空密封装置...

一种端块，其用于在溅射装置中绕旋转轴可旋转地承载靶材，　　　　所述端块具有安装法兰，以用于将所述端块安装到所述溅射装置上，所述端块还包括驱动装置、可旋转的电接触装置、支承装置、冷却剂密封装置和真空密封装置，其特征在于，　　　　所述端块可...

公开了一种在用于涂覆双面基体的溅射沉积装置中承载靶的组件。该组件可通过连接法兰安装在该溅射沉积装置上，该连接法兰承载至少两个具有相应磁体系统的靶。在组件安装好时，靶位于双面基体的相对侧，同时磁体系统把溅射沉积导向基体。该组件可单道次涂覆...

提供了一种改善溅射沉积过程的方法。该方法包括下面步骤：ａ）提供真空；ｂ）在所提供的真空中提供电极（１０、３４、３４′、４４、４４′）；ｃ）在所述真空中提供基体，所述基体与所述电极（１０、３４、３４′、４４、４４′）没有接触，从而在该真空...

本发明涉及在溅射过程中减少溅射靶中热应力的方法。方法提供如下步骤，提供靶座，当在所述靶座上应用所述靶材料时，通过喷涂和引入气孔于所述靶材料中来在所述靶座上应用包含铟－锡－氧化物的靶材料，所述气孔导致在所应用的靶材料中至少２％的孔隙率以减...