本发明涉及半导体加工技术领域，尤其是一种测试SIC MOS沟道宽度及套刻偏移的测试方法及系统，包括以下步骤：提供一测试结构，所述测试结构集成于一半导体晶圆上，所述测试结构包括：一参考MOS管，一第一测试MOS管，其栅极的一侧边缘与所述预...