本发明提供的一种射频电源功率放大器过压保护电路，涉及半导体工艺设备技术领域，所述射频电源功率放大器过压保护电路包括：射频信号发生器与射频功率放大器串联连接，向所述射频功率放大器发射信号；射频功率放大器与射频功率检测器串联连接，将所述信号...

本发明提供的一种射频功率放大器输入匹配电路，涉及电子技术领域，所述电路包括：射频信号发生器；第一电容，所述第一电容与所述射频信号发生器连接；输入匹配电路，所述输入匹配电路与所述第一电容连接；偏置电路，所述偏置电路的输入端接入一偏置电压，...

本发明提供的一种可调带宽的射频电源，涉及电子技术领域，所述装置包括：射频信号发生器与射频功率放大器串联连接，向所述射频功率放大器发射信号；射频功率放大器与射频功率检测器串联连接，将所述信号进行带宽调节后，发送给所述射频功率检测器；射频功...

本发明提供的一种具有可调滤波线圈的射频电源，涉及电子技术领域，所述射频电源中的射频功率放大器包括可调滤波线圈，所述可调滤波线圈包括：磁芯，所述磁芯内部具有通孔；线圈，所述线圈通过所述通孔绕于所述磁芯外部；调节装置，所述调节装置位于所述磁...

本发明提供的一种射频电源功率放大器功率检测装置，涉及电子技术领域，所述装置包括：射频信号发生器；射频功率放大电路与所述射频信号发生器连接，将所述射频信号的功率放大后输出；隔直单元与所述射频功率放大电路连接，阻隔直流部分后将所述射频信号输...

本发明公开了一种金属氮化物阻挡层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述金属氮化物阻挡层采用物理气相沉积方法制备，在沉积金属层时，物理气相沉积设备上的离子源产生氮离子束，向金属层中注入氮离子。本发明采用等离子体辅助的物理气相沉积的制...

本发明涉及半导体器件中阻挡层的制备方法，具体涉及一种金属氮化物阻挡层的制备方法，包括如下步骤：（1）采用物理气相沉积方法沉积金属层；（2）将金属层置于等离子注入机，通过等离子注入机向所述金属层中注入氮离子。本发明采用物理气相沉积与全方位...

本发明涉及半导体器件中阻挡层的技术领域，具体涉及一种制备金属氮化物阻挡层的装置及其使用方法。该装置包括预真空室、PVD腔室、等离子注入腔室和传输腔室，所述预真空室、所述PVD腔室和所述等离子注入腔室分别与所述传输腔室连通；所述传输腔室内...

本发明涉及半导体器件中阻挡层技术领域，具体涉及一种具有多层膜结构的阻挡层及其制备方法。该阻挡层包括TaSiN层，位于TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的Ta层。该阻挡层的制备方法，包括如下步骤：采用物理气相沉积方法依次沉积Ta...

本发明涉及半导体器件中阻挡层技术领域，具体涉及一种具有多层膜结构的扩散阻挡层及其制备方法。该扩散阻挡层包括底层TaSiN层，位于底层TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的顶层TaSiN层。该阻挡层的制备方法，包括如下步骤：采用物...