本申请涉及半导体材料制备技术领域，尤其是涉及一种p型β‑Ga2O3单晶薄膜的制备方法，该方法利用脉冲激光沉积，在高氧压气氛下制备氧化镓薄膜，实现氧化镓中的氧空位缺陷浓度大幅度减少，降低因为氧缺陷存在引起的n型载流子浓度增加，引起p型掺杂...

本申请涉及半导体材料制备技术领域，尤其是涉及一种p型β‑Ga2O3单晶薄膜的退火工艺，该退火工艺通过多阶段气氛调控、温度梯度优化技术，精准调控氧化镓薄膜的晶格缺陷，抑制氧空位的形成，在退火气氛的作用下引导非金属元素取代氧化镓晶格中的氧元...

本发明涉及一种直流隔离电路及直流隔离的控制方法，直流隔离电路包括：输入电压模块、变压器模块、整流模块、比较模块、隔离模块、控制模块、驱动模块和功率模块，其中，输入电压模块的输出端与变压器模块的输入端相连，变压器模块通过整流模块与比较模块...