本申请涉及半导体材料生长技术领域，旨在解决现有技术中因单一气氛共享导致的加热元件寿命减损以及晶体缺陷较多质量难以保障，单晶生产成本高但生产效率低的技术问题。本申请公开的单晶生长装置，其特征在于，包括炉体、第一腔室、第二腔室、加热组件、生...