北京镓创半导体材料有限公司专利技术

北京镓创半导体材料有限公司共有1项专利

  • 本申请涉及氧化镓薄膜制备技术领域,尤其是涉及一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法、制备装置、氧化镓外延薄膜及其应用,高质量氧化镓外延薄膜的制备方法包括以下步骤:准备衬底以及多个靶材,进行双阶段分布沉积,第一阶段通过离轴靶材/低功率靶材沉积...
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