北京弘图半导体有限公司专利技术

北京弘图半导体有限公司共有4项专利

  • 本申请实施例公开了一种形成图像传感器装置的方法。该图像传感器装置包括多个像素,且相邻像素通过深沟槽隔离结构隔离。示例性形成深沟槽隔离结构的方法包括:执行第一蚀刻工艺以去除部分衬底,而在衬底中形成第一沟槽;执行第一掺杂工艺以沿着第一沟槽的...
  • 本申请实施例公开了一种图像传感器装置。该图像传感器装置包括具有多个像素区的衬底。两个相邻的像素区通过深沟槽隔离结构光电隔离。示例性形成深沟槽隔离结构的方法包括:接收工件,该工件包括形成于衬底前侧中的第一隔离结构;形成延伸穿过第一隔离结构...
  • 本申请为用于图像传感器的深沟槽隔离结构,实施例公开了一种图像传感器装置。该图像传感器装置包括具有多个像素区的衬底。两个相邻的像素区通过隔离结构光学隔离。示例性形成隔离结构的方法包括:接收具有第一衬底的工件;蚀刻第一衬底的前侧以形成第一沟...
  • 公开了一种图像传感器装置,图像传感器装置包括具有多个像素区域的衬底,该图像传感器装置还包括位于第一像素区域中的第一光电二极管、耦接至第一光电二极管的源极跟随晶体管以及耦接至源极跟随晶体管的选择晶体管,源极跟随晶体管和选择晶体管的其中之一...
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