一种串联式连续多级手性拆分方法和装置属于手性领域。利用固膜实现手性拆分时，多级拆分可以提高拆分效率，而且实现拆分过程的连续化问题是其迈向工业化的关键环节。至少包括两级膜滤，在每级膜滤后设置并联的两个用于交替贮存透过液的中间罐，每个中间罐...

一种长效无机复合微量元素肥料是一种玻璃态的植物微量营养元素肥料。它是采用硼酸盐玻璃作为基玻璃，肥料的化学成分为：１３～３２％的Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］，２２～４０％的ＳｉＯ↓［２］，２～８％的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］，５～１１％的Ｋ↓［２］Ｏ...

一种用于将有机肥料翻堆与混合的滚筒，其特征在于：由滚筒主体（１）、刀片（２）和挡板（３）组成，滚筒整体上分为三部分：左螺旋线区域（４）、右螺旋线区域（５）和两者之间的翻堆区域（６）；挡板（３）沿滚筒圆周均匀分布在翻堆区域，左螺旋线区域、...

本实用新型涉及一种制造轻质闭孔泡沫陶瓷的模具，属于建筑材料技术领域。该模具包括底板、围护板和内置盖板和内置管。在底板上插入均匀分布的内置管并在管上嵌套由耐火材料组成的内置盖板，由底板、内置管、围护板组成一个带有垂直放置的内置管的孔腔。装...

一种彩色轻质墙面砖及制造方法，属于功能性墙面装饰材料领域。目前，墙面装饰砖比重大，与墙体的粘结强度低，而装饰涂料耐候性差，并且保温隔热作用差，不利于建筑物节能。一种彩色轻质墙面砖，包含以重量份数计的以下组分：玻璃原料１０～９５份，矿物原...

一种三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法属于功能陶瓷及其制造领域。本发明目的在于提高现有三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷材料的退极化温度和机械品质因子。本发明陶瓷材料的组成为（１００－ｘ）Ｂｉ↓［１／２］Ｎａ↓［１／２］ＴｉＯ↓［３...

一种实现（Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］）↓［１－ｘ］（ＴｉＯ↓［２］）↓［ｘ］基陶瓷介电温度系数热补偿的方法属于陶瓷材料制备领域。采用引入新组元调节介电温度系数的方法造成杂质污染的同时影响材料的其他介电性能。本发明通过采用二氧化碳激光器作为热...

一种制备室温固化的磷酸铝结合剂的方法，包括室温固化的磷酸铝结合剂的制备，Ａｌ／Ｐ摩尔比和氧化镁加入量对固化速度的影响。在制备过程中采用集热式恒温磁力搅拌器，搅拌速度为１５－３０转／分，温度计和加热器组成控温系统，使反应在１１０～１２０℃...

灭弧罩瓷的低温一次烧成工艺可用于制造工业用电器陶瓷．与传统的二次烧成法相比，本发明的瓷料中加入了摊平温度低于１１４０℃的Ｂ－Ｓｉ玻璃，在吸附剂中加入了锯末．其结果，可在１１４０℃下一次烧成，使烧成温度降低一百多度．在正常操作下产品合格率...

一种混凝土早强剂属于混凝土外加剂制备领域，其特征在于：其本质上含有：（１）无水硫铝酸钙粉，用量为取代水泥重量的４～１０％；（２）石膏粉，用量为取代水泥重量的０～３. ０；（３）硫酸铝盐、或硫酸铁盐或硫酸钾铝，用量为水泥、无水硫铝酸钙粉和...

一种氮化铝粉体的反应合成方法属于氮化铝粉体合成技术领域，其特征为采用Ａｌ合金体系作原料，其步骤为：将Ａｌ和一种或多种合金元素熔炼制成母合金，其中合金元素为：Ｌｉ、Ｙ、碱土金属元素、镧系金属元素；把母合金置于反应炉内，反应温度６５０～１５...

一种Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］基透明陶瓷制品及其激光快速制备方法，属于陶瓷材料制备领域。该陶瓷由以下方法制备：将Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］粉料或按化学计量配比９２∶８混合的Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］和ＴｉＯ↓［２］粉料，在１２００℃～１３５０℃预烧...

钛铁矿钛酸锰陶瓷粉末的制备方法属于光吸收材料领域。现有技术中合成需要一个高温处理的过程，并且很难获得纯相的钛酸锰。本发明的方法先将醋酸锰溶解于乙醇中，再将与醋酸锰等物质的量的钛酸四丁酯溶于乙酰丙酮中，然后将两种溶液混合并搅拌均匀，制成溶...

一种Ｃａ↓［３］Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［６］基氧化物热电材料的制备方法属氧化物热电材料领域。固相合成方法反应温度较高、反应时间较长以及化学均匀性不好、能耗大，难获得细晶粒尺寸。本发明将原料按Ｃａ↑［２＋］∶Ｃｏ↑［２＋］为３∶２，同络合剂柠檬...

一种牙科长石质生物陶瓷材料及其制备方法属于烧结技术领域。该材料含有重量百分比为６０～７０％的ＳｉＯ↓［２］，１８～２２％的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］，７～１２％的Ｋ↓［２］Ｏ，１～４％的Ｎａ↓［２］Ｏ。该制备方法是选用一级矿物钾长石粉，加入...

一种高介电常数Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］基陶瓷的调节功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。现行技术多采用烧结炉烧结方式制备Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］基陶瓷，制备的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷的相对介电常数约为１０，烧结时间较长，至少需要数小时；...

一种六方相钛酸钡陶瓷的激光制备方法，属于陶瓷制备领域。其特征在于，它包括如下步骤：采用传统的固相反应方法制备出ＢａＴｉＯ↓［３］陶瓷坯材样品，采用大功率激光作为直接辐照源，采用扫描的方式辐照陶瓷坯材，在１０～６０秒内将激光功率密度从初值...

快速烧结（Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］）↓［１－ｘ］（ＴｉＯ↓［２］）↓［ｘ］体系陶瓷的工艺属于（Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］）↓［１－ｘ］（ＴｉＯ↓［２］）↓［ｘ］体系介电陶瓷制备领域。本发明包括以下步骤：将Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］和ＴｉＯ↓［２］...

本发明属稀土难熔金属阴极材料领域。现有阴极材料无法满足较高阴极发射能力的电子管和磁控管的要求。本发明材料特征在于：含有占总重４－３０％ｗｔ的稀土氧化物Ｃｅ↓［２］Ｏ↓［３］或Ｃｅ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］的组合，其余为钼。...

本发明属于介电陶瓷制备领域。现有的工艺制备周期长，效率低，能耗大，介电系数小，工业生产选择性少，不利于工业生产实用化的问题。本发明提供了一种Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］－ＴｉＯ↓［２］体系介电陶瓷烧结工艺，其步骤为：在Ｘ＝０．０１～０．１３范...