本发明涉及智慧矿山开采技术领域，尤其是涉及一种基质‑裂隙‑巷道水运移耦合的数值模拟方法。具体包含以下步骤：从GIS系统中提取基质以及巷道信息，生成包含三维基质、二维裂隙以及简化的一维巷道网格信息；根据实测矿山情况设置物性参数、压力和速度...

本发明涉及新型能源材料技术领域，具体为一种光热驱动形状记忆性储热调温相变材料及其制备方法和应用，包括聚氨酯相变材料和光热转换材料；所述聚氨酯相变材料包括聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、异氰酸酯和小分子多元醇；其中，所述聚醚型多元醇与所述聚酯...

本申请涉及显微镜成像处理技术领域，具体涉及一种双光子显微镜及相关显微成像方法，该方法包括：获取双子显微镜在各焦距下拍摄的断层图像；根据断层图像的局部灰度变化得到断层图像中各像素点的平面频率；根据所有断层图像中相同行、相同列的像素点组成的...

本技术公开了一种基于基础实验的大鼠固定装置，包括底板，所述底板的两端底部均设置有支撑板，所述底板的上表面设置有两个对称分布、且间距可调的半圆形架，且所述底板的底部设置有用于驱动半圆形架运动的驱动机构，两个所述半圆形架的尾部之间设置有可拆...

本发明公开了一种资源化处理硝基吡唑类混酸废液的方法及系统，属于废水资源化处理技术领域，所述一种资源化处理硝基吡唑类混酸废液的方法包括：一种采用高级氧化技术处理N‑硝化废酸中的吡唑和N‑硝基吡唑的方法和一种从C‑硝化工艺废液中回收3，4‑...

本发明公开了一种支化含氟聚(β‑氨基酯)及其制备方法和应用，属于生物医用材料技术领域。所述支化含氟聚(β‑氨基酯)由由双丙烯酸酯单体、三丙烯酸酯单体、小分子有机胺及含氟烷基链单体通过迈克尔加成反应聚合，再用封端剂封端制得。制备方法简单，...

本发明涉及生物技术领域，特别涉及一种分析生物样本中蛋白质的碘化修饰水平及其修饰位点鉴定的分析方法。本发明通过将目标待测蛋白经过免疫共沉淀将目标蛋白从待测生物样品中提取出来，并经过酸水解，测定蛋白中碘化酪氨酸含量，即获得了待测蛋白的碘化修...

本发明公开了一种基于复杂异型表面的超声3D成像系统，并提供了一种可塑形的凝胶介质作为超声固体耦合材料的制备方法。本发明的主要思想是将凝胶介质根据实际异型部位的需要，定型成空腔多面体模块，进而将异型部位的复杂表面变为平面，为实现超声的自动...

本发明公开钴络合物在制备治疗胰腺癌的药物中的应用。本发明通过机器学习算法辅助药物设计，人工合成了一系列小分子化合物，并在动物模型中评估其抗胰腺癌效果。本发明的钴络合物Co68能够有效诱导肿瘤微环境中巨噬细胞分泌I型干扰素，从而重塑胰腺癌...

本申请提供了一种双金属原子催化剂的制备方法，其包括：S1.将金属晶体传入真空腔中，通过离子刻蚀再退火处理干净金属晶体的表面后，通入氧气，在金属晶体表面制备单层金属氧化物载体；S2.在金属氧化物载体上沉积M<subgt;1</...

本发明提供了一种超声冠状动脉血流储备分数的测量方法，涉及超声成像技术领域。本发明提供的超声冠状动脉血流储备分数的测量方法，基于超声造影视频，通过流体力学模型估计得到冠状动脉狭窄区域的血压分布，进而得到血流储备分数FFRUS与可信度指标σ...

本技术公开了一种多维在线光反应监测系统，包括样品泵、透明管路、可编程LED阵列和质谱仪，其中，所述透明管路前端连接样品泵，后端连接质谱仪，中间为蛇形弯曲区域，所述可编程LED阵列产生的均匀光场照射该蛇形弯曲区域。反应样品通过样品泵以恒定...

本发明涉及超声联合超声响应药物载体技术领域，具体为一种微泡联合纳米液滴打开血脑屏障进而实现药物精准递送的方法。通过使用本发明所述的载药微泡和纳米液滴以及方法，能够以成像级别的超声能量刺激实现脑内微泡的爆破，在打开血脑屏障的同时诱导载药纳...

本发明提供一种双层包裹药物级联递送载体及其制备方法，所述双层包裹药物级联递送载体是对载药纳米颗粒进行特定的氟化修饰，使得载药纳米颗粒能够高效分散在氟相液体中，进而将特定的脂质、乳化剂和表面电荷修饰及以特定成分相配合，通过乳化工艺，能够使...

本发明涉及生物医药技术领域，尤其涉及一种纳米抗体偶联物及其制备方法和应用。纳米抗体偶联物包括偶联的抗体融合蛋白与硼替佐米；所述抗体融合蛋白为类弹性蛋白多肽与抗Her2纳米抗体的融合蛋白。本发明的纳米抗体偶联物能够提高硼替佐米的稳定性和酶...

本发明公开了基于G蛋白偶联受体构建的比率型荧光探针及其构建方法。本发明发现通过在GRAB探针上引入同一个氨基酸位点（连接肽段的第三个氨基酸）的突变，能够使得GRAB探针具有激发比率型的性质。这些具有激发比率型性质的探针，能够有较高的pH...

本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底上形成第一半导体结构，第一半导体结构至少包括第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成互补金属氧化物半导体CMO...

本公开涉及一种存储单元、数据读写电路、存储器及其制备方法，涉及集成电路设计及制造技术领域，存储单元包括沿第一方向延伸的水平半导体层，及位于水平半导体层上的沿第一方向依次排布的写位线、写晶体管、读晶体管、读字线；写位线、读字线沿与第一方向...

本发明公开一种原位自氧化光栅异质突触晶体管及其制备方法和应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。本发明包括底栅衬底，在底栅衬底上设有底栅介质层和位于底栅介质层上的异质突触结构，异质突触结构包括铋氧硒沟道层、亚硒酸氧铋势垒阻挡层和钙钛矿...

本发明公开一种基于范德华异质结的超快运动感知浮栅晶体管及其应用。本发明浮栅晶体管包括背栅衬底、范德华异质结沟道层以及该沟道层两侧的源、漏电极，所述背栅衬底为表面覆盖用于非易失光存储的氧化铪/氧化铝/氧化铪（HfO<subgt;2&...