本发明公开了一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用，涉及低维纳米材料的制备领域。本发明所提供的生长装置，包括真空室及位于真空室内的三个加热电极Ａ、Ｂ、Ｃ，带气嘴的通气导管及两个钼舟或／和钽舟，加热电极Ｃ接地，分别与加热电极Ａ及加热电极Ｂ...

一种制备半导体纳米管的方法，不必借助模板，能够在不同基底上原位生长出晶化程度良好的半导体纳米管，包括步骤：１）将镀有金属薄膜的基底或金属箔放入可抽真空的容器中，抽真空后输入惰性气体和反应性气体的混合气，所述的反应性气体是能够和金属反应合...

本发明提供了一种氧化锌铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：ａ．清洗锌片，除去锌片表层的氧化物并使之平整；ｂ．以０．３～０．５摩尔／升的氢氧化锂水溶液作为电解液，阳极氧化锌片；ｃ．取出锌片，用去离子水冲洗干净，在锌片表面获得氧化锌薄膜，该薄...

本发明公开了一种碳纳米管或纳米线分叉结构的制备方法，该方法包括：制备芯片，该芯片包括一对平行电极和平行电极之间的若干个浮点电极；将碳纳米管和／或纳米线溶于有机溶剂中，并进行超声分散，制得碳纳米管和／或纳米线的悬浮液；将芯片浸没于所述悬浮...

本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维凹陷结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，Ｃ１，Ｃ２，其中Ａ１平行于Ａ２，Ｂ１平行于Ｂ２，Ｃ１平行...

本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋脊长度和底面长方...

本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维结构具有类似于倒屋顶的外形，即，顶面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，顶面长方形的长度等于该倒屋顶形的屋脊长度和顶面...

本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维中空结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，Ｃ１，Ｃ２，其中Ａ１平行于Ａ２，Ｂ１平行于Ｂ２，Ｃ１平行...

本发明公开了一种管式炉，包括炉体；耐高温管，一部分放置在炉体中，一部分露于炉体外；样品台，放置在耐该高温管内；铁磁驱动元件，放置在所述耐高温管内，通过连接杆与所述样品台连接，铁磁驱动元件放置于所述耐高温管露于炉体外的部分；磁体，设置在耐...

一种Ｓｉ基膜纳米孔道及其制备方法。所述的Ｓｉ基膜包括：Ｓｉ基；Ｓｉ基上的膜和膜上的纳米孔道，其最小孔径为一至几十纳米；其中，所述的纳米孔道可以是单个或多个的，也可以是特定阵列的纳米孔道；纳米孔道的形状可以是类圆柱形或类圆锥形，也可以是中...

本发明公开了一种在透明电极上制作ＡＡＯ模板的方法及相应的器件。先在透明电极上镀一层适当厚度的金属钛作为缓冲层，再在其上镀金属铝层，然后以酸性溶液为电解液进行阳极氧化电解，从而在透明电极上制作出ＡＡＯ纳米多孔阵列结构模板，相应地得到一种透...

一种可体液降解的医用植入体，是由Ｍｇ－Ｃａ系合金制成的；其中，所述Ｍｇ－Ｃａ系合金中Ｍｇ的重量份数含量为７－１０重量份，但不包括１０重量份，Ｃａ的重量份数含量为０－３重量份，但不包括０重量份。

本发明涉及一种由电解含金萃取有机相制备高纯金的方法。具体地说，是电解含金萃取有机相和含电解质水溶液两相组成的电解液，以制备高纯度的金，并省去反萃取、还原等常用的沉积和提纯的步骤。本发明提高了所得金的品质和回收率，并降低了生产成本，为改进...

本发明涉及一种由电解含银萃取有机相来制备高纯银的方法。具体地说，是电解含银的萃取有机相和含电解质的水溶液两相组成的电解液以制备高纯银。用本发明可省去通常反萃取、还原等常用的化学沉积和提纯的步骤，可提高所得银的品质和回收率，并降低生产总成...

本发明涉及一种由电解含铜的萃取有机相来制备高纯铜的方法。具体地说，是电解含铜的萃取有机相和含电解质的水溶液两相组成的电解液以制备高纯铜。用本发明可省去通常反萃取、还原等常用的化学沉积和提纯的步骤，可提高所得铜的品质和回收率，并降低生产总...

本发明涉及一种电解还原纯化镱和富集铥、镥的方法及设备。本发明采用电解方法将镱还原成二价，从而将其从铥、镱、镥富集物中分离出来。电解设备采用金属汞作阴极，钌铱钛合金作阳极，阴阳极室之间用阴离子交换膜隔开；电解过程以ｐＨ为０．１－４．０的铥...

本发明公开了一种利用铬铁矿粉直接制备铬铁合金的方法。本发明方法的步骤包括：ａ）以铬铁矿粉作为阴极，以石墨或惰性电极作为阳极，以熔盐体系作为电解质进行电解，电解温度高于熔盐体系的熔点，电解电压低于熔盐体系的分解电压；ｂ）电解后收集阴极得到...

本发明提供了一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备，属于硅纳米材料制备领域。该方法将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，将腐蚀液注入到腐蚀槽内，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，...

含铁盐酸酸洗废液的处理方法，属于金属的化学清洗领域。解决钢材或加工部件经盐酸清洗所产生的废酸液处理中的浪费和污染问题。特点是：将废液中的二价铁氧化成三价铁，用萃取剂分出其中铁盐，余下的酸液循环使用。萃取液用水反萃取后循环使用，得到的三氯...

本发明涉及一种硅腐蚀液及其制备方法。本发明用５ｗｔ．％ＴＭＡＨ腐蚀液，在恒温８５℃左右，溶解１．４－２．０ｗｔ．％的硅，然后加入０．４－０．７ｗｔ．％的过硫酸铵，溶解后得到硅腐蚀液。在微电子机械系统加工中，该腐蚀液既能对硅有较高的腐蚀速...