北京大学专利技术

北京大学共有15469项专利

  • 本发明公开了一种集流体复合材料,包括高氮含量掺杂的石墨烯修饰的铝箔。还公开了该集流体复合材料的制备方法以及其在锂离子电池正极中的应用。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,降低氮掺杂和石墨烯生长的反应温度,制备得到高氮含量掺杂...
  • 本发明公开了一种石墨烯修饰铝箔的制备方法,将铝箔放入处理液中,使铝箔表面的氧化铝层与处理液发生腐蚀反应,控制反应时间,使表层部分氧化铝反应溶解,形成粗糙的表面结构;通过控制处理液的种类和反应时间,可确保铝箔表面在形成粗糙结构的同时,氧化...
  • 本发明公布了一种基于金属隧穿结的可栅控开关器件的实现方法,属于纳米或原子尺度器件领域。该方法在隧穿结结构之外,引入一个开关控制电极,开关控制电极经由介质或空气与隧穿结隔开,实现电绝缘。在开关控制电极上施加电压,则开关控制电极与隧穿结之间...
  • 本发明公开了一种硒氧化铋二维垂直鳍(Fin)阵列及其晶圆级批量化制备方法。该方法,包括如下步骤:以LaAlO3(100),LaAlO3(110),和SrTiO3(110)单晶晶圆为基底,Bi2O3粉末、Bi2Se3块体和高纯氧气为原料进...
  • 本发明涉及配货机器人的技术领域,具体涉及一种基于视觉识别的前置仓配货机器人,该机器人包括依次通信连接的称重模块、信息储存模块、视觉识别模块、控制模块和机器人模块;控制模块根据货架可容纳货品的数量的第一估算值和货架可容纳货品的数量的第二估...
  • 本发明公开了一种在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法。该方法是利用熔融盐与钨源反应生成更低熔点更高蒸气压的中间产物,使得硅基底上的氧化硅或高介电常数绝缘层上更易基于化学气相沉积的原理生长二硒化钨单晶,同时通过改变衬底...
  • 本申请提供了一种用于12H
  • 本发明提供一种面向数联网的分布式搜索方法及系统,涉及数据搜索技术领域,所述方法包括:通过协调节点发出搜索请求;基于合约接口,将所述搜索请求接入智能合约层;通过所述智能合约层调用搜索引擎接口,将所述搜索请求接入搜索引擎;通过所述搜索引擎确...
  • 本发明公开了一种基于可再生能源储能的过程评价方法与系统,方法包括:构建可再生能源储能的过程评价体系;获取可再生能源储能的过程的当前评价模式;基于当前评价模式,根据储能设备的电能储量、输出参数和输入参数得到电源转换效率;获取储能设备的温度...
  • 本发明公开了一种荧光偶极子三维取向解析成像系统及其方法。本发明采用在空间光调制器上加载不同方向的条纹改变从物镜倾斜出射的激发光的传输方向,激发光的传输方向改变,偏振态相应发生改变,从而进行偏振激发调制来增强相邻荧光团的成像稀疏性;通过将...
  • 本发明提供一种互补式存储电路及存储器,其中的互补式存储电路包括呈矩阵阵列分布的存储单元,存储单元包括交替连接的至少一组P沟道场效应晶体管和N沟道场效应晶体管;其中,P沟道场效应晶体管的源极与N沟道场效应晶体管的漏极连接;P沟道场效应晶体...
  • 本发明公开了一种1,4
  • 本发明公布了一种多量子点结构的制备方法,属于纳米或原子尺度器件领域。该方法通过对金属纳米带的几何形状进行设计,控制电迁移主要发生的位置,再利用电流焦耳热驱动的电迁移,调整电迁移过程中的电压、电流等电学参数,使发生迁移的一部分原子与既有结...
  • 本发明提供了一种基于生成式大模型的软件系统配置生成方法与系统,属于软件技术领域。本发明基于生成式大模型,收集多源系统配置数据,根据配置数据与目标软件系统配置数据的相似度进行适配得到微调数据集,使用微调数据集对生成式大模型进行微调,应用多...
  • 本发明公开一种地热井管道清垢装置及清垢系统,其结构新颖合理,通过旋转驱动装置为地热井管道清垢装置提供切削动力,以带动刮齿旋转切削地热井管道内壁的水垢,此过程中,通过变径驱动装置驱动变径导杆相对外套筒移动,使得具备刮齿的杆体能够在导轨的导...
  • 本发明公开了一种3
  • 本发明实施例提供一种面向深度学习训练任务的多资源共享调度方法。所述方法包括:获取提交至任务队列中的各个训练任务的资源使用数据;根据获取的所述资源使用数据和共享机制,确定训练任务之间的共享效率;根据获取的所述资源使用数据和所述共享效率,确...
  • 本发明公开了一种焊缝组合缺陷识别及分类方法,该方法中,控制模块控制焊缝缺陷分类模块根据先验目标区域图像对应的先验特征值和目标特征值,确定当前目标区域图像与具有至少两种缺陷的样本焊缝图像的先验目标区域图像的图像匹配评价指数,以及根据该图像...
  • 本发明公开了一种基于单晶二硒化钨的垂直异质外延高定向金属铂的方法,得到的金属铂和二硒化钨的间隙小于范德华间距,从而形成更好的二维材料和金属接触。二硒化钨位于底层,金属铂位于上层,二者垂直堆叠,通过采用氧气退火纵向诱导形成高定向金属铂外延...
  • 本申请提供了一种基于MOSFET器件的集成化单分子基因测序技术,通过金硫键或桥连分子在MOSFET器件栅极表面上修饰用于基因聚合和基因解离的单分子酶,将待测基因序列输入生物传感器,并对产生的电信号和驻留时间与合成已知序列核酸模板所需的核...