本发明属于化学气相沉积技术领域，具体为利用离子液体催化剂合成甲基硅烷生长4H‑SiC单晶的方法，该利用离子液体催化剂合成甲基硅烷生长4H‑SiC单晶的方法的具体步骤流程如下：步骤一：采用高纯度甲基三氯硅烷(MeSiCl3)作为起始原料，...

本发明公开了一种基于离子液体催化剂的电子级甲基硅烷和氯化氢绿色合成方法，有机硅化合物和高纯度电子特种气体的合成技术领域，本发明所述的一种基于离子液体催化剂的电子级甲基硅烷和氯化氢绿色合成方法，包括如下步骤：S1、催化剂的制备，S2、甲基...

本发明公开了一种甲基硅烷制备碳化硅单晶的方法，涉及碳化硅单晶材料的制备技术领域，可制备不同晶型的碳化硅，将气相沉积室内的压力调节至0.1E‑3到10kPa间，并进行抽真空处理，低压环境有助于减少气体分子的碰撞和干扰，从而提高反应效率，并...

本发明公开了一种氢中甲基硅烷标气制备装置及其制备方法，涉及氢中甲基硅烷标气制备技术领域，本发明一种氢中甲基硅烷标气制备方法，包括如下步骤：对于气瓶进行加热抽真空的清洗处理，加热温度80℃，真空度<5P，气瓶二次处理：对气瓶进行抽真...

本发明公开的属于甲基硅烷氢气混合技术领域，具体为一种甲基硅烷氢气混合气的制备方法，包括以下步骤：S1：将高纯度的甲基硅烷和氢气分别储存于专用的气体储存容器中；S2：将甲基硅烷储存容器、氢气储存容器通过连接管道输送到混合装置中进行混合；S...

本发明公开了一种基于碳源热解的多孔碳及硅碳材料制备方法，涉及碳基功能材料制备技术领域。包括以下步骤：S1、碳源热解碳化工序：选取乙烯焦油、煤焦油、蒽油、油泥包作为碳质原料，选取对苯二甲醇、苯甲醛及其相关衍生物作为交联剂，经混合等预处理后...

本发明公开了一种用于硅烷深度纯化的可再生净化器，属于硅烷纯化技术领，主要包括第一净化舱，所述第一净化舱的一端固定有连接送气管，所述连接送气管的一端固定有第二净化舱，所述第一净化舱与第二净化舱通过连接送气管并联连接，所述第一净化舱的另一端...