本发明涉及一种用于容纳熔融半导体材料（5）的坩埚（1），该坩埚具有被布置为接触熔融半导体材料（5）的内表面层（2），其中内表面层（2）包括按该层的重量计至少95%的SrF2，比如按该层的重量计至少99%的SrF2。本发明进一步涉及坩埚的...