派科森专利技术

派科森共有2项专利

  • 一种用于确定薄膜工艺前体的渗透深度的方法,包括:提供插入件(100);将该插入件(100)布置为接触基底(200)以在该插入件(100)与该基底(200)之间形成多个空间(101);以及将该(一个或多个)前体供给到形成的空间(101)中...
  • 提供了产生耐等离子体腐蚀的涂布基板的方法和相关的涂层。方法包括通过气相的化学沉积的工艺,优选地,通过原子层沉积(ALD),在基板的至少一部分之上沉积含钇的耐等离子体涂层。在一些配置中,例如由混合物膜形成耐等离子体涂层,该混合物膜由氧化铝...
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