本发明公开了一种采样电路及采样方法，其中采样电路包括周期信号产生模块、分频模块、测频模块、控制模块和采样模块。周期信号产生模块用于基于待采样信号的频率产生周期信号。分频模块用于对时钟信号进行分频产生分频信号。测频模块用于对周期信号的周期...

本发明公开了一种电源系统、控制方法及相关装置，其中，电源系统包括智能控制器和多个电源模块，电源模块用于将高压电源转换为低压电源，多个电源模块的输出端并联形成输出总线，智能控制器与各电源模块相连以控制电源模块的工作状态。本发明设计了冗余并...

本发明公开了一种防溢胶的封装方法及防溢胶的封装体结构，通过在塑封膜具的型腔底部设置容纳待封装件的第一引线框架的第一槽区以及设置容纳待封装件的第二引线框架的引脚的第二槽区，使得最终塑封后，第一引线框架和第二引线框架的引脚均能凸出于塑封体的...

本发明公开了一种功率元件引线框架及功率元件封装工艺，所述功率元件引线框架包括基岛和引脚区，基岛用于承载功率芯片，引脚区环绕于基岛设置，引脚区内设置有引脚和金属片，金属片能够被剪切形成引脚。本发明实施方式中的功率元件引线框架及功率元件封装...

本发明公开了一种IGBT单管，包括下基板、上基板、一个或多个IGBT芯片、一个或多个FRD芯片、一个或多个电连接件和引脚。上基板层叠于下基板的上方，IGBT芯片设于上基板内且下表面与下基板的上表面连接，FRD芯片设于上基板内且位于IGB...

本发明公开了一种IGBT模块及其封装工艺，所述IGBT模块包括壳体、DBC板、一个或多个IGBT芯片、一个或多个FRD芯片、塑封层和引脚。DBC板设于壳体内，IGBT芯片和FRD芯片设于DBC板上，塑封层设于壳体内并覆盖DBC板、IGB...

本发明公开了一种阻焊封装方法及阻焊封装结构，阻焊封装方法包括提供基板，所述基板包括若干焊接区和非焊接区，相邻两个所述焊接区之间设置有所述非焊接区，以间隔所述焊接区；分别对所述焊接区内的基板、所述非焊接区内的基板进行表面处理，以使所述焊接...

本发明公开了一种解码方法、装置、模块及计算机可读存储介质，其中解码方法包括获取初始码元周期，基于初始码元周期计算采样区间。对采样区间内的编码数据的跳变沿进行采样，基于采样间隔计算实际码元周期，基于实际码元周期更新采样区间的值，并对更新后...

本发明公开了一种功率器件，包括框架以及封装于框架内的功率管芯片、浪涌保护器件和二极管芯片，浪涌保护器件和二极管芯片串联于功率管芯片的第一端与功率管芯片的第二端之间。本发明的功率器件通过在功率管的第一端与第二端之间串联浪涌保护器件和二极管...

本发明公开了一种驱动电路及驱动器件，所述驱动电路包括功率管及调参电阻，其中，所述调参电阻的第二端与功率管的控制端相连，所述调参电阻的第二端与功率管的控制端之间形成有寄生电阻，所述调参电阻与寄生电阻串联设置；所述调参电阻的第一端作为驱动电...

本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件及制备方法，该IGBT器件于沟槽内填充有多晶硅及位于多晶硅外侧且紧贴沟槽内壁的栅氧层，多晶硅的一侧或两侧开设有填充槽，填充槽从多晶硅的顶部延伸至多晶硅的底部，填充槽与栅氧层的内壁之间形成填充腔，填充腔内...

本发明公开了一种IGBT器件及制备方法，该IGBT器件包括衬底和在衬底上的依次形成的第一导电类型漂移区和第二导电类型体区，以及贯穿第二导电类型体区并伸入第一导电类型漂移区的栅极沟槽，栅极沟槽顶端的外侧形成有第一导电类型源区，栅极沟槽的侧...

本发明公开了一种高导通低损耗的IGBT器件结构及其制备方法，IGBT器件结构包括从上到下依次设置的发射极金属层、介质层、N+源区、P型基区、漂移区、衬底以及集电极层，还包括从上到下贯穿所述N+源区和P型基区且伸入所述漂移区的沟槽栅；其中...

本发明公开了一种简化驱动电路的IGBT器件结构及其制备方法，通过P型掺杂区的深度大于伪沟槽栅的深度的设置，可大大增加IGBT器件结构的Cies(输入电容)；通过N型漂移区与P型掺杂区所形成的PN结反向偏置时，该PN结在P型掺杂区的耗尽线...

本发明公开了一种具有PMOS结构的IGBT器件，包括从下到上依次设置的集电极、P+集电区、缓冲层和漂移区，所述漂移区内横向依次形成有第一浮空区、PMOS区、第二浮空区以及NMOS区，其中，所述PMOS区内设置有PMOS结构，所述NMOS...

本发明公开了一种芯片封装结构，包括：第一引线框架，具有第一表面；芯片，设置于所述第一引线框架的第一表面上；以及第二引线框架，包括一体冲压成型的安装部和第一引脚，所述安装部设置于所述芯片背离所述第一引线框架的表面上；所述第二引线框架与所述...

本发明实施方式公开了一种功率元件散热冷却系统，包括散热器、陶瓷绝缘板、功率元件、第一导热层和第二导热层。第一导热层设于散热器上，陶瓷绝缘板设于第一导热层背离散热器的一侧，第二导热层设于陶瓷绝缘板背离第一导热层的一侧，功率元件设于第二导热...

本发明实施方式公开了一种液冷散热器，包括散热器主体和隔板，散热器主体其顶部为开口状并用于放置待冷却元件，该散热器主体的内部设有冷却舱及与冷却舱相连通的进液口和出液口。隔板设于冷却舱内且将进液口和出液口分隔在隔板的两侧，隔板的底端与散热器...

本发明实施方式公开了一种循环冷却系统，包括散热器、隔板、热交换器、进液管和出液管，散热器的顶部为开口状并用于放置待冷却元件，该散热器的内部设有冷却舱及与冷却舱相连通的进液口和出液口，隔板设于冷却舱内且将进液口和出液口分隔在隔板的两侧，隔...

本发明实施方式公开了一种基于铝基板的功率元件或功率系统的散热系统，包括散热器、第一导热层、铝基板、绝缘层、第二导热层和功率元件，第一导热层设于散热器上，铝基板设于第一导热层背离散热器的一侧，绝缘层设于铝基板背离第一导热层的一侧，第二导热...