本发明涉及一种在GaN材料中制造浮置保护环的方法及系统，包括：提供具有第一表面和第二表面以及第一导电类型的衬底；形成耦接到衬底的第一表面的第一导电类型的第一GaN外延层；以及形成与第一导电类型相反的第二导电类型的第二GaN外延层。第二G...

本发明提供一种用于使用工程化衬底的氮化镓电子器件的方法和系统，所述方法包括提供包括第III族氮化物籽层的工程化衬底，形成耦接至所述第III族氮化物籽层的GaN基功能层，形成电耦接至所述GaN基功能层的至少一部分的第一电极结构。该方法还包...

一种垂直的第III族氮化物场效应晶体管，包括：包含第一第III族氮化物材料的漏极；电耦合到漏极的漏极接触部；以及耦合到漏极的包含第二第III族氮化物材料的漂移区。该场效应晶体管还包括：耦合到漏极并且沿垂直方向与漏极相邻布置的包含第三第I...

谐振变换器的一个实施方式包括具有电感和电容元件的谐振电路，电感和电容元件被配置成当施加输入电压时产生电谐振，耦接在谐振电路的至少一部分与谐振变换器的输出之间的同步整流器。同步整流器包括二极管和电开关。控制电路被配置成操作电开关，使得当二...

公开了一种可变输出供电装置及其操作方法。所述可变输出供电装置包括电力单元，所述电力单元包括具有输出端口的壳体、置于所述壳体内的一个或多个配件以及置于所述壳体内并与所述输出端口通信的控制器。所述可变输出供电装置还包括电缆。所述控制器能够至...

一种电子器件包括：III‑V族衬底，其具有同质晶体结构和关于生长面的法线，该关于生长面的法线相对于<0001>方向的取向偏差在0.15°与0.65°之间。该电子器件还包括联接到III‑V族衬底的第一外延层和联接到第一外延层的...

一种用于以氮化镓(GaN)基材料制造混合p-i-n肖特基(MPS)二极管的方法包括提供具有第一表面和第二表面的n型GaN基衬底。该方法还包括形成耦接至n型GaN基衬底的第一表面的n型GaN基外延层和形成耦接至n型GaN基外延层的p型Ga...

一种基于氮化镓(GaN)的结型场效应晶体管(JFET)可以包括具有沿横向维度延伸的顶表面的GaN漏极区、源极区以及第一导电类型的GaN沟道区，GaN沟道区耦接在源极区与GaN漏极区之间并且可操作地在源极区与GaN漏极区之间传导电流。JF...

一种垂直JFET包括：包含JFET的漏极的GaN衬底和耦接到GaN衬底的多个图案化外延层。远端外延层包括源极沟道的第一部分，并且相邻的图案化外延层被具有预定距离的间隙隔开。垂直JFET还包括耦接到远端外延层并且设置在所述间隙的至少一部分...

本发明涉及用于具有共同封装的氮化镓功率器件的交叉升压变换器的方法和系统。一种电子封装件包括引线框和多个管脚。电子封装件还包括：第一氮化镓(GaN)晶体管，第一GaN晶体管包括源极、栅极和漏极；和第二GaN晶体管，第二GaN晶体管包括源极...

一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括提供包括第III族氮化物籽层的工程化衬底，形成耦接至所述第III族氮化物籽层的GaN基功能层，形成电耦接至所述GaN基功能层的至少一部分的第一电极结构。该方法还包括在所述GaN基功能层的与工程化衬...

本发明涉及用于操作氮化镓电子器件的方法和系统。本发明提供了一种包括驱动器和主晶体管的电子电路。驱动器可以包括偏置电压生成器、辅助晶体管和输出驱动器。偏置电压生成器可以被配置成接收电压输入并且基于电压输入产生偏压输出。辅助晶体管可以具有耦...

一种包括具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的GaN衬底的半导体结构。该GaN衬底的特征在于第一导电类型和第一掺杂剂浓度。该半导体结构还包括：耦接到GaN衬底的第二表面的第一导电类型的第一GaN外延层；以及耦接到第一GaN外延层的第二...

一种第III族氮化物半导体器件，包括：用于支持在第III族氮化物半导体器件的正向偏置操作期间的电流流动的有源区。该有源区包括：具有第一导电类型的第一第III族氮化物外延材料和具有第二导电类型的第二第III族氮化物外延材料。第III族氮化...

一种半导体器件，包括：第III族氮化物衬底；耦接到第III族氮化物衬底并且具有台面的第一第III族氮化物外延层；以及耦接到台面的顶表面的第二第III族氮化物外延层。该半导体器件还包括：耦接到台面的侧表面的第III族氮化物栅极结构；以及配...

一种用于制造边缘终端结构的方法，包括：提供具有第一表面和第二表面以及第一导电类型的衬底；形成耦接到衬底的第一表面的第一导电类型的第一GaN外延层；以及形成与第一导电类型相反的第二导电类型的第二GaN外延层。第二GaN外延层耦接到第一Ga...

一种包括垂直第III族氮化物FET和肖特基二极管的集成器件，包括：包含第一第III氮化物材料的漏极；耦合到漏极并且沿着垂直方向设置为相邻于漏极的包含第二第III族氮化物材料的漂移区；以及耦合到漂移区的包含第三第III族氮化物材料的沟道区...

一种半导体结构包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的III族-氮化物衬底。III族-氮化物衬底的特征在于第一导电类型和第一掺杂剂浓度。半导体结构还包括III族-氮化物外延结构，该III族-氮化物外延结构包括耦合到III族-氮化物衬底的第...

一种垂直第III族氮化物场效应晶体管，包括：包含第一第III族氮化物材料的漏极；电耦合到漏极的漏极接触部；以及耦合到漏极并且沿垂直方向与漏极相邻布置的包含第二第III族氮化物材料的漂移区。该场效应晶体管还包括：耦合到漂移区的包含第三第I...