本发明提供一种用于在具有薄膜的光刻基板的等离子体蚀刻工艺期间改善临界尺寸性能的方法。使用第一组工艺条件将钝化膜沉积到光刻基板上。使用第二组工艺条件从光刻基板蚀刻沉积膜。使用第三组工艺条件蚀刻光刻基板的暴露表面。在光刻基板的等离子体工艺期...

本发明提供用于提供集成电化学和太阳能电池的方法和设备。在本发明的一个实施方案中，具有自支撑陶瓷阴极层的电化学电池电连接至太阳能电池。在本发明的另一个实施方案中，提供了具有自支撑阳极的电化学电池。本发明还提出了制造所述集成电化学和太阳能电...

本发明提供了一种承载用于等离子加工的至少一个基片的方法和装置。所述方法和装置包括载体，用于将非粘结地位于所述载体上的基片传输到用于等离子加工的等离子系统之内的基片支架上。连接到所述基片支架的静电夹，所述静电夹在等离子加工期间通过所述载体...

一种用于检测过程变化的方法，所述方法包括：　　　　把衬底置于腔室中；　　　　使所述衬底经历具有至少一个已知过程变化的过程；　　　　在过程期间至少获得一个数据集；以及　　　　把进化计算技术应用于至少一个数据集，以生成过程变化检测算法。

本发明提供一种在时分复用工艺期间控制腔室内压力的方法。在所述时分复用蚀刻工艺的至少一个步骤内根据开环压力控制算法定位节流阀。评估该步骤的压力响应并且将其与期望的压力响应相比。然后，根据对期望压力响应的评估通过比例积分微分控制器对时分复用...

本发明提供了一种用于在交替循环刻蚀工艺或者时分多工工艺期间建立终点的方法。基板被安放在等离子体腔室中并且经历具有刻蚀步骤和淀积步骤的交替循环工艺。使用已知的发射光谱测定技术监测等离子体发射强度的变化。基于来自刻蚀副产物的等离子体发射选择...

本发明提供一种用于处理光刻衬底的方法，包括将光刻衬底放置在腔中的支撑构件上，其中，所述光刻衬底具有大约０摄氏度到大约５０摄氏度的初始温度。将热传递流体引入到所述腔中以将所述光刻衬底冷却至低于大约０摄氏度到低于大约负４０摄氏度的目标温度。...

本发明提供了一种用于在基板的等离子体处理期间通过使用放置在位于等离子体系统的上电极中的标准气体喷淋头的标准喷淋头孔内的光纤传感器来提高等离子体工艺的光学检测的方法和设备。可以基于测量的来自基板表面的等离子体发射来计算膜性质。该膜性质可以...

本发明提供一种在真空室内处理光刻基片的方法。该方法包括在对该光刻基片在该真空室内进行处理之前将该光刻基片冷却到目标温度的步骤。将至少一种处理气体引入该真空室。在该光刻基片达到该目标温度后，从该处理气体中激发等离子体，其中使用该等离子体对...