本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及电力电子元器件技术领域。该硅电容的制备方法，包括：提供第一衬底和第二衬底，并由第一衬底的上表面内凹形成多个第一孔，由第二衬底的上表面内凹形成多个第二孔；将第一衬底的上表面和第二衬底的上表面相对设置并...

本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及电力电子元件技术领域。该硅电容的制备方法，包括：提供导电衬底并由导电衬底的上表面刻蚀形成多个立柱和围合多个立柱的侧壁，多个立柱之间形成连通的凹槽；在导电衬底上形成介质层；在介质层上沉积上电极；在上电...

本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及电力电子元件技术领域。该硅电容的制备方法，包括：提供导电衬底并由导电衬底的上表面刻蚀形成多个立柱和围合多个立柱的侧壁，多个立柱之间形成连通的凹槽，采用博世工艺的深反应离子刻蚀使得立柱的侧壁沿竖直方向...