本申请实施例提供的傅里叶红外光谱仪装置，涉及仪器仪表工程技术领域，傅里叶红外光谱仪装置包括：转动组件，包括转盘和挡板，所述挡板安装于所述转盘上，且所述转盘的转动轴线与所述挡板的转动轴线重合，所述挡板设置有通孔，所述通孔位于所述转盘的转动...

本发明涉及镀膜技术领域，公开了一种光学薄膜镀膜方法，包括以下步骤：步骤1：将基片放置在蒸发镀膜机中，开启离子源对基片进行清洗；步骤2：清洗完成后，通过离子源结合电子束镀膜的方式在基片的表面镀上锗层；步骤3：镀锗层完成后，通过离子源结合阻...

本申请属于半导体制造设备技术领域，公开了一种芯片搬运吸嘴，包括吸嘴本体，吸嘴本体的吸附端具有向内凹陷成型的凹槽，吸嘴本体内具有与外设真空设备连通的第一气体通道，第一气体通道与凹槽连通，凹槽内具有用于容纳芯片的像元区的第一区域和用于容纳芯...

本发明涉及半导体加工控制技术领域，提供了一种基于等离子体密度调节的刻蚀均匀性优化方法，包括如下步骤：步骤1：采集等离子体密度和刻蚀速率，以晶圆中心为原点并沿径向分区生成坐标系，将等离子体密度和刻蚀速率映射至坐标系，得到连续空间分布函数；...

本发明公开了一种非制冷同频异构红外探测器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域；本发明将第一微桥结构和第二微桥结构集成于同一晶圆衬底上形成焦平面像元阵列，热敏层热容量更大且桥腿热阻更高的第一微桥结构作为高灵敏度像元，热敏层热容量更小且桥腿...

本发明公开了一种像元结构及其制备方法、红外探测器，涉及半导体器件技术领域；本发明提出的像元结构包括微桥结构，微桥结构的桥腿包括导电层、第一钝化层和第二钝化层，导电层位于第一钝化层上，第二钝化层覆盖于导电层上，以使第一钝化层和第二钝化层对...

本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种反射镜表面平坦化的CMP工艺及反射镜和MEMS结构。CMP工艺步骤如下：对CMOS衬底表面沉积的金属层进行涂胶、掩模、显影、光刻操作制备金属图案，随后沉积消磨层，并对金属图案对应的消磨层进行刻...

本申请公开一种清洗装置，包括清洗箱、旋转机构、载台、喷淋机构以及进出气机构。旋转机构包括驱动组件及调节组件，驱动组件与调节组件连接；载台设置于清洗箱内，且与调节组件连接；调节组件能够调节载台相对水平方向的倾斜角度；喷淋机构包括供液组件及...

本发明涉及晶圆技术领域，公开了一种晶圆划片方法，将晶圆放置在划片机中进行划片，其中，进刀速度为2～5m/s或1m/s，晶圆包括衬底和镀层，衬底的材质为硅，镀层从上而下为硫化锌层和锗层。本方法可以在划片过程中，减少晶圆的崩边概率，提高芯片...

本发明涉及半导体制造技术领域，提供了一种去除半导体刻蚀残留物的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上沉积膜层，得到基片；步骤2：对基片依次进行涂胶、曝光及显影，得到带有光刻胶图形的基片；步骤3：将带有光刻胶图形的基片置入等离子体刻蚀机中进...

本申请涉及微机电系统技术领域，具体公开了一种改善微测辐射热计微桥结构稳定性的方法及微测热辐射计微桥结构、微测辐射热计、芯片。改善微测热辐射计微桥结构稳定性的方法，在保持桥腿长度不变的条件下，同步调整桥腿高度与桥腿宽度，使桥腿高度与桥腿宽...

本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种消除掩膜版非目标图形散射缺陷的方法。该方法包括以下步骤：在硅片表面涂覆光刻胶，将开设有目标图形的掩膜版置于光刻机中，设置初始曝光光束尺寸，对涂覆有光刻胶的硅片进行曝光、显影处理，得到具有光刻图...

一种晶圆级封装工艺中牺牲层的去除方法包括步骤：S1，提供待释放牺牲层的已完成像元结构阵列的焊料环阵列设置的双层红外探测器晶圆，第一牺牲层设置在读出电路衬底和桥面和桥腿的图形之间，第二牺牲层设置在伞面的图形与桥面和桥腿的图形之间，第三牺牲...

一种滤波器DBR膜层刻蚀工艺方法包括步骤：在DBR膜层沉积前流程的衬底上沉积二氧化硅，形成二氧化硅膜层；在二氧化硅膜层上沉积铝，形成铝膜层；通过光刻和湿法铝腐蚀将保留DBR膜层部分的铝膜层腐蚀干净，以使腐蚀干净的铝膜层的对应部位的二氧化...

一种非制冷红外探测器件的制备方法包括步骤：提供VOx吸收面阵设置之前的流程片，流程片包含读出电路衬底、金属反射层、牺牲层以及支撑层；在支撑层上磁控溅射沉积氧化钒层并通过光刻和刻蚀形成VOx吸收面阵，磁控溅射沉积氧化钒层采用两步溅射和两步...

一种陶瓷封装窗口片焊料环设置工艺包括步骤：S1，提供半导体衬底，半导体衬底是指在半导体封装工艺中完成金属化图形化工艺之前流程的晶圆；S2，采用真空蒸镀机在晶圆沉积金属化膜层；S3，采用真空蒸镀机在金属化膜层上沉积铟银焊环膜层；S4，退火...

提供一种像素级封装结构及其制备方法。像素级封装结构包括像元结构以及封装结构。像元结构包括读出电路衬底和焦平面像素单元阵列，焦平面像素单元阵列包括热敏层和桥墩；封装结构包括封装盖帽结构以及密封增透层，封装盖帽结构包括下层盖帽以及上层盖帽，...

本申请涉及半导体制造技术领域，提供了一种晶圆干法刻蚀控制方法及其系统，旨在实时监测刻蚀过程并高精度地动态控制刻蚀过程，包括如下步骤：步骤1：监测刻蚀设备，采集刻蚀的刻蚀参数组合以及晶圆刻蚀区域的图像信息；步骤2：构建实时数据处理模型，开...

本申请属于MEMS器件技术领域，尤其涉及一种双层微测辐射热计的制备方法及应用；本申请提供的一种双层微测辐射热计的制备方法，针对低温固化的热固化聚酰亚胺第二牺牲层容易被腐蚀溶解的缺陷，通过在湿法去胶过程中使用了难以水解酰亚胺键的去胶液NM...

本发明属于芯片清洗技术领域，公开了一种晶圆片焦平面微桥结构的清洗方法，包括以下步骤：（1）将晶圆片放入添加氟碳表面活性剂的无水乙醇中进行第一次清洗；（2）采用异丙醇和压缩气体对第一次清洗后的晶圆片进行二流体喷雾清洗；（3）干燥二流体喷雾...