安徽大学未来产业创新研究院专利技术

安徽大学未来产业创新研究院共有17项专利

  • 本发明涉及一种笔记本壳体激光加工用定位治具,涉及激光加工用治具相关技术领域,包括底座、输送装置、多自由度机械手、工作台、激光加工装置、电驱滑轨、滑动板、放置台、支撑装置、夹持装置、定位检测装置,本申请可以解决现有技术未考虑到壳体因注塑应...
  • 本申请涉及一种近似4‑2压缩器和基于成对误差补偿的近似乘法器,所述近似4‑2压缩器通过传输门与逻辑门的混合设计实现硬件效率与精度的协同优化。借鉴了或门压缩器的结构简单的优点,将四个操作数两两分组,分别进行或操作压缩,将压缩之后的数利用一...
  • 本申请涉及基于衰减器结构的连续时间线性均衡器电路,所述电路包括三级电路,第一级电路由衰减器电路组成,通过不同控制码信号,实现对衰减器电路的低频信号衰减能力的多级调节,以满足多种条件下的电路增益需求;第二级电路由采用负电容结构的连续时间线...
  • 本发明公开了一种具有降尿酸功效的黄芪提取物的制备方法,属于生物医药技术领域。本发明将黄芪乙醇浸提液浓缩后分别使用正丁醇、乙酸乙酯、石油醚萃取,萃取物经浓缩后分别得到正丁醇、乙酸乙酯、石油醚萃取部位及剩余部位,得到的正丁醇萃取物即为所述用...
  • 本发明及笔记本壳体加工技术领域,特别涉及一种笔记本激光打孔用夹持装置,包括安装基台,安装基台上设置有角度调节装置,角度调节装置上设置有定位夹具。本发明设计的定位夹具在作业中通过中部负压吸附与四周卡紧的方式提高了笔记本壳体加工作业中的稳定...
  • 本申请涉及多阈值16T抗辐射SRAM存储单元电路和存储器,该电路中存储模块由PMOS晶体管组成的两个交叉耦合的反相器组成双稳态结构,形成两个存储节点;冗余存储模块采用NMOS晶体管组成双稳态结构,形成两个冗余节点,作为存储模块的冗余备份...
  • 本发明涉及集成电路加固设计技术领域中用于抗辐射集成电路的时序窗屏蔽电路及触发器,通过开创性地从“时间域”角度解决SET问题,直接作用于错误发生的根源,采用通用性强的电路设计,可灵活应用于各类需要保护的时序电路;由于保护窗口极短且仅在时钟...
  • 本申请涉及集成电路设计技术领域的适用于恶劣辐射环境的三节点翻转容错锁存器,该锁存器包括:激励模块用于将输入信号通过多个钟控传输门传输至敏感节点N2、N4、N6和Q;互锁反馈环路是采用四个三输入时钟门控反向CE单元和四个三输入反向CE单元...
  • 本申请涉及一种可控时钟沿时间的低功耗加固模块,所述模块包括:时钟选通电路、加固单元以及时钟和电源模块;在时钟选通电路中将两个PMOS管的衬底连接可变直流电源,实现时钟沿时间的可控的功能;加固单元通过双稳态锁存模块采用交叉耦合的 CMOS...
  • 本申请公开了一种吡咯基聚酰胺、吡咯基锂电池基膜、及其制备方法和应用,属于高分子材料合成技术领域。所述吡咯基聚酰胺的分子结构中具有如式I所示结构重复单元:,式I中,X、Y分别独立的选自H、烷基、卤素、氰基、氨基及其衍生物、羟基及其衍生物、...
  • 本发明公开了涂覆液、锂离子电池隔膜及制备方法,其中,涂覆液按质量百分比计,包括噻吩聚酰胺纳米纤维2‑25%,无机陶瓷15‑70%,胶黏剂1‑5%,助剂0.5‑5%和余量的去离子水。噻吩聚酰胺具强氢键作用、高分子量和规整度,赋予材料优异机...
  • 本发明公开了聚酰胺在锂电池基膜中的应用、锂电池基膜、制备方法及锂电池,所述聚酰胺选自芳香族和脂肪族聚酰胺中的至少一种。采用聚酰胺制备的锂电池基膜兼具高耐热性、优异浸润性和强粘结性,这对提升锂离子电池的安全性能具有显著的促进作用。
  • 本申请涉及基于双模冗余与自适应偏置的抗辐射DICE触发器电路,该电路对复位或置位电路进行了电路级的双模冗余设计,并且在双模冗余设计的基础上进一步提出了自适应偏置技术,在电路设计层面对触发器进行了加固,帮助解决了传统DICE触发器复位/置...
  • 本申请涉及基于增强型互锁反馈的三节点加固锁存器的抗辐射电路,该抗辐射电路由双输入与三输入C单元协同构成增强型互锁反馈回路,能够在任意三个敏感节点同时发生扰动的情况下实现逻辑状态的自恢复;同时在关键信号通路中引入传输门与反相器串联结构,不...
  • 本申请涉及一种容忍三节点翻转的高性能低功耗抗辐射锁存器,该锁存器保存了原有的容忍双节点翻转的高性能低功耗抗辐射锁存器结构,继承了原电路容忍单节点和双节点翻转的能力。引入两个额外冗余节点,与原有节点通过三输入C单元构成互锁监控网络;在原有...
  • 本发明涉及锂电池技术领域,具体地,涉及一种电池隔膜及其制备方法和应用。该制备方法包括:将有机溶剂与噻吩基聚酰胺第一混合,加入乳化剂和胶粘剂进行第二混合。该电池隔膜将噻吩基聚酰胺应用于锂电池隔膜领域,使得制得的锂电池涂覆隔膜具有热收缩率低...
  • 本发明涉及电池隔膜技术领域,具体地,涉及一种含有吡啶基杂环芳纶的电池隔膜及其制备方法和应用,该制备方法包括以下步骤:S1、将吡啶基杂环芳纶聚合液、纳米陶瓷材料与助剂混合,制得涂覆浆料;S2、将S1中所述的涂敷浆料涂敷于基膜至少一个表面,...
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