本发明涉及常关型场效应晶体管及其制造方法和编程功率场效应晶体管的方法。提供的一种常关型功率场效应晶体管半导体结构包括沟道、源电极、栅电极和俘获电荷，俘获电荷被布置在栅电极与沟道之间使得当源电极和栅电极处于相同电势时沟道处于关态。另外，提...

本发明涉及防止半导体器件退化的方法、半导体器件及其制造方法。提供一种用于防止半导体器件电特征劣化的方法。该方法包括：提供具有形成电介质-半导体界面的第一半导体区和带电的电介质层的半导体器件。第一半导体区的多数载流子具有第一电荷类型。带电...