一用来生长外延层的反应器（１２０）包括一反应室（１２２），该反应室具有用来将晶片载体（１９６）插入反应室和从反应室中取出的贯穿开口（１４４）。该反应器还包括一位于反应室（１２２）内的圆柱形百叶窗挡板（１４８），用来有选择地关闭贯穿开口（...

本发明描述了一种在固体衬底上进行沉积的ＣＶＤ反应器以及一种在晶片上沉积外延层的相关方法。在本发明的反应器中，晶片托架（１１０）在装载位置（Ｌ）和沉积位置（Ｄ）之间进行迁移。在沉积位置，晶片托架被可分离地安装在可旋转主轴（１２０）的顶端上...

提供一种装置和方法，该装置和方法用于在化学气相沉积反应室内提供充分均匀的衬底温度。该方法和装置利用一个基架（１１０）固定反应室内的衬底（１６０），以及将多个加温元件（１２０，１３０，１４０）安置成能加热该基架和衬底。衬底高温计（１３８，...