本发明涉及一种异质外延生长钇稳定氧化锆薄膜的方法，所述方法包括如下步骤：在Φ200mm的硅衬底上依次沉积初期层与钇稳定氧化锆层，实现硅衬底上异质外延生长钇稳定氧化锆薄膜；所述初期层为能与硅衬底表面的自然氧化层进行还原反应的薄膜层。本发明...

本发明提供一种二元阈值转变选通器及其制备方法和相变存储器，所述二元阈值转变选通器自下而上依次包括下电极层、下降压功能层、阈值转变开关材料层、上降压功能层和上电极层；所述下降压功能层和所述上降压功能层的材料独立地包括Ge、Te或In中的任...

本发明提供一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和相变存储器，所述OTS选通材料的化学通式为As<subgt;x</subgt;Se<subgt;y</subgt;Sb<subgt;m</su...

本发明涉及一种B相二氧化钒薄膜结构及其制备方法与应用，所述B相二氧化钒薄膜结构包括依次层叠设置的硅衬底、缓冲层以及B相二氧化钒薄膜层；所述制备方法包括如下步骤：在硅衬底的表面依次沉积缓冲层与B相二氧化钒薄膜层，得到所述B相二氧化钒薄膜结...