一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和相变存储器技术

本发明专利技术提供一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和相变存储器，所述OTS选通材料的化学通式为As<subgt;x</subgt;Se<subgt;y</subgt;Sb<subgt;m</subgt;，其中，0.15≤x≤0.25，0.65≤y＜0.75，0＜m≤0.15。本发明专利技术通过在OTS选通材料中掺入一定比例的Sb元素，其能够有效降低OTS选通材料的第一次点火的阈值电压，且使得第一次点火的阈值电压和后续工作时的阈值电压相等，不仅减少了过高的第一次点火的阈值电压对OTS选通单元造成的冲击，提高了OTS选通单元的安全性和可靠性，而且也降低了Vth漂移现象出现的风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子，具体涉及一种ots选通材料、ots选通单元及其制备方法和相变存储器。

技术介绍

1、以硫系化合物为主的二元阈值转变(ots)材料可作为选通开关被应用于相变存储器。ots选通开关的原理如下：利用电学信号控制选通器件的开关，当施加于选通器件的电压高于其阈值电压(vth)，ots材料会从高阻态转变为低阻态，此时器件处于开启状态；当撤去电学信号，ots材料会回到高阻态，器件处于关闭状态。通常，未经过操作的ots在发生初次阈值转变时，需要一个初次点火操作(first fire)，表现为初次开启的阈值电压明显高于后续开启时的阈值电压。而撤去电压后，随着时间的流逝，器件的vth会向着first fire之前的状态逐渐恢复、增大，这一现象被称为vth漂移。这种现象会影响存储器读取窗口的稳定，甚至造成器件的失效。此外，过高的初次点火的阈值电压会对ots器件造成冲击，增加损坏风险。

2、因此，如何减少vth漂移的现象，同时减少过高的初次点火的阈值电压对ots器件造成冲击，提高ots器件的安全性和可靠性，是亟待解决的技术问题。

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【技术保护点】

1.一种OTS选通材料，其特征在于，所述OTS选通材料的化学通式为AsxSeySbm，其中，0.15≤x≤0.25，0.65≤y＜0.75，0＜m≤0.15。

2.根据权利要求1所述的OTS选通材料，其特征在于，所述m的取值范围为0.02-0.1。

3.一种OTS选通单元，其特征在于，所述OTS选通单元包括上电极层、下电极层以及设置在所述上电极层和下电极层之间的OTS选通材料层，所述OTS选通材料层包括如权利要求1或2所述的OTS选通材料。

4.根据权利要求3所述的OTS选通单元，其特征在于，所述OTS选通材料层在第一次点火时的阈值电压和工作时的阈值电...

【技术特征摘要】

1.一种ots选通材料，其特征在于，所述ots选通材料的化学通式为asxseysbm，其中，0.15≤x≤0.25，0.65≤y＜0.75，0＜m≤0.15。

2.根据权利要求1所述的ots选通材料，其特征在于，所述m的取值范围为0.02-0.1。

3.一种ots选通单元，其特征在于，所述ots选通单元包括上电极层、下电极层以及设置在所述上电极层和下电极层之间的ots选通材料层，所述ots选通材料层包括如权利要求1或2所述的ots选通材料。

4.根据权利要求3所述的ots选通单元，其特征在于，所述ots选通材料层在第一次点火时的阈值电压和工作时的阈值电压相等。

5.根据权利要求3或4所述的ots选通单元，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：查嘉伟，韩钢，宋三年，
申请(专利权)人：爱发科苏州技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：