提供了一种在半导体器件中形成边缘终端结构的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成外延层，外延层横向地延伸跨过器件中的有源区域和边缘终端区域；在有源区域中形成有源沟槽并且在边缘终端区域中形成至少一个外沟槽，外沟槽和有源沟槽中的每个竖直地延伸...