本发明关于一种垂直场效应晶体管(FET)。根据本发明的垂直FET包括基板及配置为晶体管的源极或漏极的第一电极。所述装置包括配置为晶体管的源极及漏极中的另一个的第二电极，第二电极至少部分地在重叠区域与所述第一电极重叠。此外，所述装置包括夹...