一种改进型LED芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及以半导体为特征的基本电气元件技术领域，具体是一种改进型LED芯片，包括蓝宝石衬底，其特征在于所述的蓝宝石衬底上设有若干凸块，衬底上部为N型氮化镓层，N型氮化镓层上部设有负电极，所述的N型氮化镓层上部还设有多层量子阱，多层量子阱上部设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上部还设有透明导电层，透明导电层上设有正电极。本实用新型专利技术的蓝宝石衬底为图形化蓝宝石衬底，其均匀性好，能有效地降低外延位错提高外延层的结晶质量，使LED芯片的发光效率得到最大化的提升。本实用新型专利技术通过该图形化蓝宝石衬底降低了外延层的位错缺陷，提高了外延层的结晶质量，而本实用新型专利技术中的多个微型反射面也同样大幅提高了LED芯片的发光效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及以半导体为特征的基本电气元件
，具体是一种改进型LED芯片，包括蓝宝石衬底，其特征在于所述的蓝宝石衬底上设有若干凸块，衬底上部为N型氮化镓层，N型氮化镓层上部设有负电极，所述的N型氮化镓层上部还设有多层量子阱，多层量子阱上部设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上部还设有透明导电层，透明导电层上设有正电极。本技术的蓝宝石衬底为图形化蓝宝石衬底，其均匀性好，能有效地降低外延位错提高外延层的结晶质量，使LED芯片的发光效率得到最大化的提升。本技术通过该图形化蓝宝石衬底降低了外延层的位错缺陷，提高了外延层的结晶质量，而本技术中的多个微型反射面也同样大幅提高了LED芯片的发光效率。【专利说明】—种改进型LED芯片本技术涉及以半导体为特征的基本电气元件
，具体是一种改进型LED芯片。LED (Light Emitting Diode,发光二极)芯片是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。但现有技术中的LED芯片衬底均匀性不好，造成外延位错误，外延层结晶质量差等不足，并影响到LED芯片的发光效率。另外，现有技术中的LED芯片还存在着光电特性分布不均匀、性能不佳等缺陷，不能满足市场需求。本技术的内容就是为了解决现有技术中上述不足和缺陷，提供一种结构新颖、安全可靠，发光效率高的改进型LED芯片。为实现上述目的，提供一种改进型LED芯片，包括蓝宝石衬底，其特征在于所述的蓝宝石衬底上设有若干凸块，衬底上部为N型氮化镓层，N型氮化镓层上部设有负电极，所述的N型氮化镓层上部还设有多层量子阱，多层量子阱上部设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上部还设有透明导电层，透明导电层上设有正电极。所述的蓝宝石衬底材质为AL203。所述的若干个凸块的形状大小相同。若干个凸块为矩阵排列。所述的正电极和负电极的材质为铬合金。所述的透明导电层为铟锡氧化物半导体。本技术同现有技术相比，其优点在于:本技术的蓝宝石衬底为图形化蓝宝石衬底，其均匀性好，能有效地降低外延位错提高外延层的结晶质量，使LED芯片的发光效率得到最大化的提升。本技术通过该图形化蓝宝石衬底降低了外延层的位错缺陷，提高了外延层的结晶质量，而本技术中的多个微型反射面也同样大幅提高了 LED芯片的发光效率。[【专利附图】【附图说明】]图1为本技术的主要结构示意图；图2为本技术的图形化蓝宝石衬底结构示意图；如图所示，图中:1.正电极2.透明导电层3.P型氮化镓4.多层量子阱5.N型氮化镓6.负电极7.衬底；指定图1为本技术的摘要附图。下面结合附图对本技术作进一步说明，这种装置的结构和原理对本专业的人来说是非常清楚的。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术为一种可大大提闻发光效率的改进型LED芯片，如图1所不，其具有多层结构。本技术LED芯片的衬底为蓝宝石衬底，衬底上层为N型氮化镓层，N型氮化镓层上设有负电极；N型氮化镓层上层还设有多层量子阱，多层量子阱上层设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上还设有透明导电层，透明导电层上设有正电极，由此构成本技术的多层结构。多层量子阱即为多量子阱是在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱(MQW)。其中本技术的量子阱主要结构优选为由两层砷化铝之间夹设砷化镓的结构构成。本技术的蓝宝石衬底通过使用半导体工艺在蓝宝石衬底上制备出特殊的图形结构，即本蓝宝石衬底上的若干凸块，该凸块可降低外延层的位错缺陷提供外延层结晶质量，同时多个微型反射面的存在也有利于提高LED芯片的发光效率。【权利要求】1.一种改进型LED芯片，包括蓝宝石衬底，其特征在于所述的蓝宝石衬底上设有若干凸块，衬底上部为N型氮化镓层，N型氮化镓层上部设有负电极，所述的N型氮化镓层上部还设有多层量子阱，多层量子阱上部设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上部还设有透明导电层，透明导电层上设有正电极。2.如权利要求1所述的一种改进型LED芯片，其特征在于所述的蓝宝石衬底材质为AL2O3。3.如权利要求1所述的一种改进型LED芯片，其特征在于所述的若干个凸块的形状大小相同。4.如权利要求1或3所述的一种改进型LED芯片，其特征在于所述的若干个凸块为矩阵排列。5.如权利要求1所述的一种改进型LED芯片，其特征在于所述的正电极和负电极的材质为铬合金。6.如权利要求1所述的一种改进型LED芯片，其特征在于所述的透明导电层为铟锡氧化物半导体。【文档编号】H01L33/20GK203503687SQ201320614492【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月30日 优先权日:2013年9月30日 【专利技术者】林宇杰, 董庆安, 杨辉, 吴伟 申请人:上海博恩世通光电股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进型LED芯片，包括蓝宝石衬底，其特征在于所述的蓝宝石衬底上设有若干凸块，衬底上部为N型氮化镓层，N型氮化镓层上部设有负电极，所述的N型氮化镓层上部还设有多层量子阱，多层量子阱上部设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上部还设有透明导电层，透明导电层上设有正电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林宇杰，董庆安，杨辉，吴伟，
申请(专利权)人：上海博恩世通光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31