【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种高精密新型电容器，它涉及电容器领域。它包括铝/聚偏氟乙烯薄膜、金电极和铜丝引脚，铝/聚偏氟乙烯薄膜上溅射有金电极，金电极与铜丝引脚相连，两层铝/聚偏氟乙烯薄膜、金电极卷绕成薄膜电容。所述的薄膜电容通过石蜡封装。本技术结构简单，耗损小，性能稳定，实用性强。【专利说明】一种高精密新型电容器
本技术涉及的是一种电容器，具体涉及一种高精密新型电容器。
技术介绍
薄膜电容一般采用聚酯、聚丙烯或聚碳酸酯等作为电介质。而采用这种电介质电容的性能并不特别优越，在一定条件下，这些电容的性能会影响器件工作的稳定性，而且电容损耗大。
技术实现思路
针对现有技术上存在的不足，本技术目的是在于提供一种高精密新型电容器，结构简单，耗损小，性能稳定，实用性强。为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现:一种高精密新型电容器，包括铝/聚偏氟乙烯薄膜、金电极和铜丝引脚，铝/聚偏氟乙烯薄膜上溅射有金电极，金电极与铜丝引脚相连，两层铝/聚偏氟乙烯薄膜、金电极卷绕成薄膜电容。作为优选，所述的薄膜电容通过石蜡封装。作为优选，所述的铝/聚偏氟乙烯薄膜的厚度为20微米。本技术结构简单，耗损小，性能稳定，实用性强。【专利附图】【附图说明】下面结合附图和【具体实施方式】来详细说明本技术；图1为本技术的结构示意图。【具体实施方式】为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本技术。参照图1，本【具体实施方式】采用以下技术方案:一种高精密新型电容器，包括铝/聚偏氟乙烯薄膜1、金电极2和铜丝引脚3，铝/聚偏氟乙烯薄膜I上...
【技术保护点】
?一种高精密新型电容器，其特征在于，包括铝/聚偏氟乙烯薄膜(1)、金电极(2)和铜丝引脚(3)，铝/聚偏氟乙烯薄膜(1)上溅射有金电极(2)，金电极(2)与铜丝引脚(3)相连，两层铝/聚偏氟乙烯薄膜(1)、金电极(2)卷绕成薄膜电容。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗学民，刘宇，罗浩民，
申请(专利权)人：长兴友畅电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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