一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO2薄膜的制备方法技术

本发明专利技术属于太阳能和激光技术领域，具体为一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO2薄膜的制备方法。本发明专利技术采用射频磁控溅射技术，靶材使用镶嵌金属Er片和Yb片的TiO2陶瓷靶，基片为石英或硅片；射频磁控溅射制备得上转换发光的稀土元素Er/Yb共掺杂TiO2薄膜，并通过控制靶材中Er和Yb的含量来控制掺杂量，从而得到致密性好，均匀程度高，机械和光学性能优良的上转换发光薄膜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO2薄膜的制备方法，其特征在于，采用射频磁控溅射技术，靶材使用镶嵌金属Er片和Yb片的TiO2陶瓷靶，基片采用石英或硅片，射频磁控溅射制备得上转换发光的稀土元素Er/Yb共掺杂TiO2薄膜，通过控制靶材中Er和Yb的含量来控制掺杂量；制备的具体条件如下：基板温度为室温至300℃；溅射前真空室本底压强为2.0×10?3?Pa，射频磁控溅射时使用氧氩混合气体，总气压为0.1~1.0?Pa，其中，O2分压占总气压比为0.5~10.0％；溅射功率密度为17.7~177?kW/m2?；制备出的薄膜样品在空气下退火，或者在氮气、惰性气体保护下退火，退火温度为500~1200℃，退火时间为0.5~5小时。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈杰，毛鑫光，王俊，罗胜耘，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：