芴基芳香膦氧光电材料及其制备方法技术

芴基芳香膦氧光电材料及其制备方法，它涉及一种光电材料及其制备方法。本发明专利技术为了解决具有大的共轭结构的芳香烃或芳胺类官能团被引入到芴体系中，导致载流子注入传输失衡的问题。本方法如下：制备2-溴-(9，9-二-(二苯基磷氧苯基))芴；将2-溴-(9，9-二-(二苯基磷氧苯基))芴、四(三苯基膦)钯、四丁基溴化铵和硼酸酯混合后溶于四氢呋喃中，再加入NaOH溶液，经反应，萃取，干燥，柱层析，即得；将2-溴-(9，9-二-(二苯基磷氧苯基))芴、咔唑、碳酸钾、碘化亚铜、18冠6醚混合，打入高温溶剂，经反应、萃取、干燥、柱层析，即得。采用本发明专利技术的光电材料用于制备蓝光荧光器件的功率效率可达2.19lm/W。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电材料及其制备方法。
技术介绍
有机电致发光材料及显示器件由于具有重量轻、厚度薄、驱动电压低、响应速度快、视角范围宽等优良性能，自出现以来得到了广泛关注，有机电致发光材料及器件成为研究的热点。芴具有易修饰、能隙宽、发光效率高等优点，因而，在OLED材料，特别是蓝光材料中占有重要地位。然而，芴的亲合能小、溶解性差、并且极易氧化成芴酮缺陷，严重影响器件的效率。目前，通常采用多元修饰的方法改良芴类材料的性能。简单的寡聚物或螺芴构建， 虽然提高了材料的热力学稳定性和荧光量子效率，但载流子的注入传输性能并没有得到明显的改善。因而，具有大的共轭结构的芳香烃或芳胺类官能团被引入到芴体系中，对化合物进行载流子性能的调控。然而该类官能团的电子注入传输性能很差，使材料的空穴注入和传输占主导地位，导致载流子注入传输失衡和较差的激子复合。而过于复杂的官能团修饰往往导致发射红移，降低色纯度。
技术实现思路
本专利技术为了解决具有大的共轭结构的芳香烃或芳胺类官能团被引入到芴体系中， 由于此官能团的电子注入传输性能很差，导致载流子注入传输失衡的的技术问题，提供了一种。硫酸组成的混合液中，然后加入O. 5-3mmol N-溴代琥珀酰亚胺，萃取，干燥，柱层析，得到权利要求1.芴基芳香膦氧光电材料，其特征在于芴基芳香膦氧光电材料的结构式如下2.权利要求I所述芴基芳香膦氧光电材料的制备方法，其特征在于芴基芳香膦氧光电材料的制备方法按照以下步骤进行一、将Immol9,9- 二 -( 二苯基膦氧苯基)荷溶于由2_10mL冰醋酸和l_8mL浓硫酸组成的混合液中，然后加入O. 5-3mmol N-溴代琥珀酰亚胺，萃取，干燥，柱层析，得到 2-溴-(9,9- 二 - ( 二苯基勝氧苯基))荷；二、将Immol2_漠-(9,9_ 二-( 二苯基勝氧苯基))荷、O. 005-0. Immol四(三苯基勝) 钯、O. 01-0. Immol四丁基溴化铵和O. 5-2mmol硼酸酯混合，然后在氩气保护、避光的条件下加入3-15mL四氢呋喃溶解，再加入3mL-10mL浓度为2mol/L的NaOH溶液，在80_90°C反应 8-32h，用饱和氯化铵溶液萃取，干燥，柱层析，得到芴基芳香膦氧光电材料。3.根据权利要求2所述的芴基芳香膦氧光电材料的制备方法，其特征在于步骤二中所述的硼酸酯为二乙基芴硼酸酯、苯基咔唑硼酸酯、三苯胺硼酸酯或萘基苯基胺硼酸酯。4.权利要求I所述芴基芳香膦氧光电材料的制备方法，其特征在于芴基芳香膦氧光电材料的制备方法按照以下步骤进行一、将Immol9,9- 二 -( 二苯基膦氧苯基)荷溶于由2_10mL冰醋酸和l_8mL浓硫酸组成的混合液中，然后加入O. 5-3mmol N-溴代琥珀酰亚胺，萃取，干燥，柱层析，得到2-溴-(9,9-二 - ( 二苯基勝氧苯基))荷；二、将Immol 2-漠-(9,9- 二 -( 二苯基勝氧苯基))荷、l_6mmol 碳酸钟、I-IOmmol 咔唑、O. 05-0. 5mmol碘化亚铜和O. 001-0. 05mmol 18-冠_6_醚，在氮气保护下，加入3-10mL3-二甲基-3，4，5，6-四氢-2-嘧啶酮，在90_250°C反应12_50h，萃取，干燥，柱层析， 得到芴基芳香膦氧光电材料。全文摘要，它涉及一种光电材料及其制备方法。本专利技术为了解决具有大的共轭结构的芳香烃或芳胺类官能团被引入到芴体系中，导致载流子注入传输失衡的问题。本方法如下制备2-溴-(9，9-二-(二苯基磷氧苯基))芴；将2-溴-(9，9-二-(二苯基磷氧苯基))芴、四(三苯基膦)钯、四丁基溴化铵和硼酸酯混合后溶于四氢呋喃中，再加入NaOH溶液，经反应，萃取，干燥，柱层析，即得；将2-溴-(9，9-二-(二苯基磷氧苯基))芴、咔唑、碳酸钾、碘化亚铜、18冠6醚混合，打入高温溶剂，经反应、萃取、干燥、柱层析，即得。采用本专利技术的光电材料用于制备蓝光荧光器件的功率效率可达2.19lm/W。文档编号C09K11/06GK102924516SQ201210431659公开日2013年2月13日 申请日期2012年11月2日 优先权日2012年11月2日专利技术者许辉, 于东慧 申请人:黑龙江大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
芴基芳香膦氧光电材料，其特征在于芴基芳香膦氧光电材料的结构式如下：其中R为FDA00002349022800011.jpg,FDA00002349022800012.jpg,FDA00002349022800013.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许辉，于东慧，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：发明
国别省市：